【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，具体地说，涉及包括一个或多个功率半导 体器件和衬底的，所述一个或多个功率半导体器件和衬底被电连接。
技术介绍
许多研究机构目前正在研究和开发碳化硅(SiC)器件。SiC器件的特征是低导通电阻、闻速开关、闻温操作等等。连接SiC器件的方法以及用于SiC器件的低热阻封装已经被公开(例如，参见专利文献I和2)。专利文献I和2公开了制造容纳SiC器件的封装的方法。使用TLP结合技术将SiC器件连接到另一部件或导电表面。专利文献I和2中公开的每个TLP技术是通过使用同时形成的三种或四种类型的导电金属的混合晶体形成高温熔点连接来连接SiC器件的技术。由于使用三种或四种类型的金属材料的TLP连接，导电金属的混合晶体的构成材料是复杂的。另一方面，例如，包含Sn和/或Pb并具有比较低的、不超过430 V的熔点的复合焊料制品已经被公开(例如，参见专利文献3)。在专利文献3中，复合焊料制品特征在于焊料合金的液相和固相之间的温度差小于基本焊料材料的液相和固相之间的温度差。而且，使用晶片级焊料转移技术的金属转移MEMS封装已经被公开(例如，参见非专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.02 US 61/247990;2010.09.07 US 12/8766141.一种半导体器件，包括 衬底； 布置在衬底上的源极迹线、漏极迹线和栅极迹线； 布置在漏极迹线上并包括源极焊盘和栅极焊盘的晶体管； 布置在衬底上的漏极迹线和源极迹线之间以及漏极迹线和栅极迹线之间以覆盖晶体管的侧壁表面的绝缘膜； 布置在源极迹线和漏极迹线之间的绝缘膜上并连接晶体管的源极焊盘和源极迹线的源极喷射电极；和 布置在栅极迹线和漏极迹线之间的绝缘膜上并连接晶体管的栅极焊盘和栅极迹线的栅极喷射电极。2.根据权利要求I所述的半导体器件，还包括 被布置在每个绝缘膜的表面上的保护膜。3.根据权利要求I所述的半导体器件，其中 绝缘膜由下述中的任何一个制成硅氧烷树脂、聚合物树脂、聚酰亚胺树脂和环氧树脂。4.根据权利要求I所述的半导体器件，其中 每个绝缘膜由层叠膜形成，所述层叠膜由通过喷射技术形成的陶瓷层构成。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中 每个陶瓷层由下述中的任何一个制成氧化铝、氮化铝和氮化硅。6.根据权利要求I所述的半导体器件，其中 源极喷射电极和栅极喷射电极中的每一个由下述中的任何一个制成铜、银、镍、铝、钼、IE、镍铬合金、镍招合金、镍铬娃合金、镍娃合金和铜镍合金。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中 保护膜由下述中的任何一个制成硅氧烷树脂、聚合物树脂、聚酰亚胺树脂和环氧树脂。8.根据权利要求I所述的半导体器件，其中 晶体管由SiC半导体或GaN半导体构成。9.一种制造半导体器件的方法，包括 形成衬底； 在衬底上形成源极迹线、漏极迹线和栅极迹线； 在漏极迹线上形成晶体管，所述晶体管包括源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：AB洛斯特特，J霍恩伯格，大塚拓一，
申请(专利权)人：阿肯色州电力电子国际有限公司，罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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