一种防止硼掺杂层释气的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止硼掺杂层释气的方法。本发明专利技术提出一种防止硼掺杂层释气的方法，通过利用等离子体增强化学气相沉积工艺在P型硅片衬底上淀积一层无定形碳薄膜，从而能有效避免在退火过程中B掺杂区由于没有硅化金属阻止层而造成释气现象的发生，进而提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及。
技术介绍
目前,娃中的硼(Boron)在高温退火工艺过程中，容易发生释气(out-gasing)现象进而影响硅中硼的掺杂浓度，从而导致硅衬底(Si Sub)的电阻值产生变化，同时扩散出来的硼会进入本来不掺杂硼的区域，会造成相应区域电学性能的失效。去除上述不良影响通常采用的方法是在高温退火工艺之前，利用硅化金属阻止层(salicide block,简称SAB),即采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积一层150A 400A的氧化硅层，以用于阻止硅中的硼在高温退火工艺时发生释气现象(out-gasing)，且该硅化金属阻止层还可以作为硅化物(salicide)的阻挡层。但是，由于一些技术中不需要硅化金属阻止层，如自对准硅化物结构(salicideformation)是通过在接触孔(CT)或接触线(line)形成之后，直接派射用于形成娃化物(salicide)的材料，由于这种技术中没有硅化金属阻止层(SAB)，所以硼(B)注入之后进行高温退火工艺时会形成硼释气(out-gasing)现象,从而造成产品良率的降低。专利
技术实现思路
本专利技术公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖海波，郑春生，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：