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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止硼掺杂层释气的方法。本发明提出一种防止硼掺杂层释气的方法，通过利用等离子体增强化学气相沉积工艺在P型硅片衬底上淀积一层无定形碳薄膜，从而能有效避免在退火过程中B掺杂区由于没有硅化金属阻止层而造成释气...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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