一种防止铝垫腐蚀的方法技术

本发明专利技术一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货，其中，还包括工艺步骤为，在晶片允收测试工步与目检工步之间实施对铝垫进行无定形碳淀积以及等离子体灰化和清洗。通过使用本发明专利技术一种防止铝垫腐蚀的新方法，有效地通过对铝垫进行无定形碳淀积以防止铝垫受到水汽与卤素等因素的影响，同时大大的延长了晶片的保存时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及。
技术介绍
由于客户需求的改变，或者后续封装测试条件的变更，制造完的晶片难免需要长时间的保存在库房中，如图I所示，为目前铝垫制造到晶片出货工艺流程示意图，其工艺步骤依次为，对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试；目检；出货。这就导致铝垫有可能受到水汽或者卤素等因素的影响而发生腐蚀。而一旦铝垫发生腐蚀现象，意味着晶片 有了可靠性的问题。显然，无论对于制造商还是客户，铝垫腐蚀产生的危害(例如晶片交期延误，回追潜在风险晶片等)都是巨大的。
技术实现思路
专利技术公开了一种防止铝垫腐蚀的新方法。用以解决现有技术中铝垫存放时间较长会受到水汽或者卤素等因素的影响而发生腐蚀的问题。为实现上述目的，专利技术采用的技术方案是 一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡学清，郑春生，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：