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本发明一种防止铝垫腐蚀的新方法，包括：对铝垫薄膜进行淀积；对淀积后的铝垫进行光刻；对铝垫进行刻蚀；对刻蚀后的铝垫进行钝化层氧化膜淀积；在氧化膜上表面进行钝化层氮化膜淀积；对所淀积的钝化层进行光刻；对光刻后的钝化层进行刻蚀；退火；晶片允收测试...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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