一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具技术

本发明专利技术公开了一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具，属于半导体开关器件制造工艺技术领域。所述制造方法主要包括以下步骤：一、用通用方法在PN结的两面做好双面金属电极；二、使用专用刀具研磨结终端；三、对结终端的外表面进行处理；四、形成保护层。所述方法是采用具有一定角度的专用刀具，对硅片进行研磨切割，得到具有特定角度造型的结终端，之后对该结终端进行腐蚀抛光、表面涂胶钝化即可完成造型。工艺步骤简单，由于使用专用刀具能够加工较小芯片面积的结终端，并且成品率高，从而降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新型半导体开关器件制造エ艺
，尤其涉及一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具。
技术介绍
在高压功率半导体器件中，结的弯曲部分严重限制了平面结的击穿电压。为了提高平面半导体器件的阻断能力，迄今为止，已开发了许多高压终端技术，如场限制环法(FLR)、场板法(FP)、斜面造型法、腐蚀造型法、结终端扩展法、半绝缘多晶硅技术(SIPOS)、结终端扩展技术(JTE)、弱化表面电场技术(RESURF)以及横向变掺杂技术(VLD)等等。在这些技术之中，FLR结构广泛应用于现代功率半导体器件中，因为它与平面エ艺完全兼容，然而，由于要同时考虑很多參数，要由解析方法得到优化设计是十分困难的， 特别是针对多重场限环系统，场限制保护环结构对环间距非常敏感，且表面绝缘介质层中的正电荷对环间电位及电场分布均有很大影响，加之正常エ艺中引入正电荷的因素很多，使得场限制保护环结构对表面钝化工艺的要求很高，因此增加了エ艺的复杂性。场板结构则对氧化层厚度非常敏感，为了获得最佳效果，同样要增加工艺的复杂性，而且扩散保护环及浮空场限环増大了结电容和漏电，不适合超快速器件使用；腐蚀成型需要精密控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠山，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：