增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构技术

一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板；施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植，以形成n型杂质第一掺杂区，因此，第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区；以及施以第二次较高能量n型离子布植，以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩，以形成多个n型杂质第二掺杂区，第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸，第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区，第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接，電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明专利技术的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，可以增加光电流，使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于太阳能电池，特别是指ー种使pn接面空乏区加大的ー种太阳能电池结构及其制程方法，以提高电流收集的制程方法及结构。
技术介绍
近年来，由 于环保意识的抬头和其它能源逐渐的枯竭，使得世界各国开始重视再生能源的利用。由于太阳光是取之不尽，用之不竭的天然能源，除了没有能源耗尽的问题之夕卜，也可以避免能源被垄断的问题。请參考图I的步骤1A 1G，为现有的太阳能电池吸光面制程的剖面示意图。P型半导体基板I经过清洗，将晶圆表面的杂质及污染物去除，并以酸液将基板I表面蚀刻成粗糙面后，在含氧气氛导入含η型导电性杂质的气体，例如P0CL3、P2O5, PH3或PF3的退火炉管进行杂质扩散制程，以在P型半导体基板I上形成掺杂层10，产生光电转换效应所需的pn介面。由于在η型区域10表层也会同时形成磷的氧化层Il(P2O5),因此，在后续步骤中，需以蚀刻移除，再依序于P型半导体基板表面，形成抗反射层13及金属电极14。请參照图2Α，虚线B为半导体基板I本身P型杂质浓度曲线，曲线A为经过扩散方式掺杂后，在半导体基板内部η型导电性杂质的浓度分布。由图中可以看出在距表面一定距离处η型杂质和P型杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：简荣吾，
申请(专利权)人：英稳达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：