具有缺陷的太阳能电池的检出方法技术

本发明专利技术公开一种具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其是通过计算出每一太阳能电池中经常发生缺陷的区块与另一区块的电性数据的相关性并设定适当范围，来判断多个太阳能电池的其中之一是否为一具有缺陷的太阳能电池。本发明专利技术能适用于单晶硅太阳能电池及多晶硅太阳能电池的缺陷检验。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于太阳能电池的检验，特别是关于一种具有缺陷的太阳能电池的检出方法。
技术介绍
目前全球太阳能光电市场的应用，是以硅晶太阳能电池为主流。硅晶太阳能电池用的芯片可根据制程区分为单晶硅太阳能芯片及多晶硅太阳能芯片。单晶硅太阳能芯片的制造是将纯化后的硅砂在拉晶机中熔融，再抽拉成为晶棒；多晶硅太阳能芯片的制造则是将纯化后的硅砂熔融在方向性长晶炉的坩埚中，再冷却铸成晶块，前述晶棒与晶块必须经过线锯(wiresaw)的切割，才能得到硅晶太阳能电池用的芯片。在太阳能电池的生产过程中，最终产品需经过检验方能确保其质量。需检测的缺陷项目，包括材料缺陷(Materialdefect)、烧结(Sinteringwave)、制程污染(Contamination)及线路断路(Brokenfinger)等。前述多个缺陷会不同程度地影响太阳能电池的转换效率(Conversionefficiency)，因此通常是利用外观检测的方式，将具有缺陷的太阳能电池检测出来，并剔除之。电致发光(Electro-luminescence,EL)检测是太阳能电池的外观检测的最佳方法之一，通过分析电致发光的光谱或影像，能够检出太阳能电池上的缺陷，从而判定太阳能电池的品质。由于单晶硅太阳能芯片的制造方式为旋转抽拉成晶棒，故以电致发光检测可知以单晶硅太阳能芯片制成的太阳能电池的缺陷多发生于其中间区域(称之为黑心片)。另外，由于多晶硅太阳能芯片的制造方式为将硅砂熔融在方向性长晶炉的坩埚中(接触坩埚内壁)，故以电致发光检测可知以多晶硅太阳能芯片制成的太阳能电池的缺陷多发生于其边缘区域(称之为黑边片)。然而，在生产线末端加装电致发光检测机台会有成本增加的问题，此外，还有由于多晶硅太阳能电池的背景杂讯过大，而无法通过电致发光检测来检出其线路断路的缺陷的问题。因此，有必要提供一种成本低廉且适用于单晶硅及多晶硅检测的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，以解决上述的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术目的在于提供一种具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其是通过计算出每一太阳能电池中经常发生缺陷的区块与另一区块的电性数据的相关性并设定适当范围，来判断多个太阳能电池的其中之一是否为一具有缺陷的太阳能电池。本专利技术能适用于单晶硅太阳能电池及多晶硅太阳能电池的缺陷检验。用于实现上述目的，本专利技术提供一种具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其包括如下步骤：提供多个太阳能电池，在每一太阳能电池上定义一第一区域及一第二区域，前述第二区域为经常发生缺陷的区块；分别对所述多个太阳能电池的前述第一区域及前述第二区域进行电性测量，而相应地得到多个第一数值及多个第二数值；以所述多个第一数值及所述多个第二数值分别作为X坐标及Y坐标，而通过一计算器建立一回归趋势线，前述回归趋势线呈现正相关，其包括线性正相关或非线性正相关；通过前述计算器计算前述回归趋势线的标准差，再以前述回归趋势线的预定倍数标准差建立前述回归趋势线的管制范围的上下界线；以及判断各太阳能电池的第一数值与第二数值所组成的坐标值是否超出前述管制范围的上下界线，若超出，则为具有缺陷的太阳能电池。在本专利技术的一实施例中，前述检出方法还包括如下步骤：若存在具有缺陷的太阳能电池，移除前述具有缺陷的太阳能电池的第一数值及第二数值，并由前述计算器重新计算以更新前述回归趋势线；提供另一太阳能电池，对前述太阳能电池的第一区域及第二区域进行电性测量，而相应地得到一第一数值及一第二数值；将前述第一数值作为X坐标代入更新后的前述回归趋势线的方程式中，得到一Y坐标的理论值；以及将对前述太阳能电池的前述第二区域进行电性测量而得到的前述第二数值(亦即实际值)除以前述Y坐标的理论值，得到一比值，前述比值若落在一预定范围外，则判定为具有缺陷的太阳能电池。在本专利技术的一实施例中，前述预定范围为0.5至1.5。在本专利技术的一实施例中，前述预定范围为0.8至1.2。在本专利技术的一实施例中，所述多个太阳能电池的数量减掉前述具有缺陷的太阳能电池之后，剩下的数量为三片以上。在本专利技术的一实施例中，所述多个太阳能电池的数量为三十片以上。在本专利技术的一实施例中，前述第一区域为全区域。在本专利技术的一实施例中，前述第一区域为不会发生缺陷的区块。在本专利技术的一实施例中，前述预定倍数标准差为正负二倍标准差。在本专利技术的一实施例中，前述预定倍数标准差为正负三倍标准差。在本专利技术的一实施例中，所述多个太阳能电池是单晶硅太阳能电池。在本专利技术的一实施例中，前述第二区域是前述单晶硅太阳能电池的中间区域，且前述中间区域是一圆形。在本专利技术的一实施例中，前述中间区域所占的面积是前述单晶硅太阳能电池全区域的50％。在本专利技术的一实施例中，前述中间区域所占的面积是前述单晶硅太阳能电池全区域的20％。在本专利技术的一实施例中，所述多个太阳能电池是多晶硅太阳能电池。在本专利技术的一实施例中，前述第二区域是前述多晶硅太阳能电池的边缘区域，前述边缘区域围绕前述多晶硅太阳能电池的中间区域。在本专利技术的一实施例中，前述边缘区域为前述多晶硅太阳能电池的边缘向内缩40％的区域。在本专利技术的一实施例中，前述边缘区域为前述多晶硅太阳能电池的边缘向内缩15％的区域。在本专利技术的一实施例中，前述电性测量是通过对前述第一区域及前述第二区域照射光源所量测的电性的数据。在本专利技术的一实施例中，前述第一区域及前述第二区域是以相同光强度的光源来进行前述电性测量。在本专利技术的一实施例中，前述第一区域及前述第二区域是以不同光强度的光源来进行前述电性测量。在本专利技术的一实施例中，前述第一区域及前述第二区域是以相同波长的光源来进行前述电性测量。在本专利技术的一实施例中，前述第一区域及前述第二区域是以不同波长的光源来进行前述电性测量。在本专利技术的一实施例中，前述电性包括短路电流、开路电压、填充因子、串联电阻或功率转换效率。相较于现有技术，本专利技术是提供一种新的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其是通过计算出每一太阳能电池中经常发生缺陷的区块与另一区块(亦即，全区域或不会发生缺陷的区块)的电性数据的相关性并设定适当范围，来判断多个太阳能电池的其中之一是否为一具有缺陷的太阳能电池。由于本专利技术不需额外增加设备，只需以原有的电性量测设备分析所述多个太阳能电池的不同区域，并透过计算其相关性来判断前述太阳能电池是否为一具有缺陷的太阳能电池，因此分析成本低廉。此外，本专利技术还能够适用于单晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的检验。附图说明图1是本专利技术实施例中具有缺陷的太阳能电池的检出方法的第一阶段的步骤流程图。图2是本专利技术实施例中具有缺陷的太阳能电池的检出方法的第二阶段的步骤流程图。图3是本专利技术实施例中单晶硅太阳能电池及多晶硅太阳能电池中经常发生缺陷的区块的示意图。具体实施方式请参见图1，其是本专利技术实施例中具有缺陷的太阳能电池的检出方法的第一阶段的步骤流程图，前述检出方法包括下列步骤(步骤S11-S15)：在步骤S11中，提供多个太阳能电池，所提供的所述多个太阳能电池的数量优选为三十片以上。在每一太阳能电池上定义一第一区域及一第二区域，前述第二区域为经常发生缺陷的区块。在本实施例中，每一太阳能电池上所定义的第一区域(或第二区域)皆是相同位置。前述第一区域可以为每一太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，包括如下步骤：提供多个太阳能电池，在每一太阳能电池上定义一第一区域及一第二区域，前述第二区域为经常发生缺陷的区块；分别对所述多个太阳能电池的前述第一区域及前述第二区域进行电性测量，而相应地得到多个第一数值及多个第二数值；以所述多个第一数值及所述多个第二数值分别作为X坐标及Y坐标，而通过一计算器建立一回归趋势线，前述回归趋势线呈现正相关；通过前述计算器计算前述回归趋势线的标准差，再以前述回归趋势线的预定倍数标准差建立前述回归趋势线的管制范围的上下界线；以及判断各太阳能电池的第一数值与第二数值所组成的坐标值是否超出前述管制范围的上下界线，若超出，则为具有缺陷的太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，包括如下步骤：提供多个太阳能电池，在每一太阳能电池上定义一第一区域及一第二区域，前述第二区域为经常发生缺陷的区块；分别对所述多个太阳能电池的前述第一区域及前述第二区域进行电性测量，而相应地得到多个第一数值及多个第二数值；以所述多个第一数值及所述多个第二数值分别作为X坐标及Y坐标，而通过一计算器建立一回归趋势线，前述回归趋势线呈现正相关；通过前述计算器计算前述回归趋势线的标准差，再以前述回归趋势线的预定倍数标准差建立前述回归趋势线的管制范围的上下界线；以及判断各太阳能电池的第一数值与第二数值所组成的坐标值是否超出前述管制范围的上下界线，若超出，则为具有缺陷的太阳能电池。2.根据权利要求1所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，前述检出方法还包括如下步骤：若存在具有缺陷的太阳能电池，移除前述具有缺陷的太阳能电池的第一数值及第二数值，并由前述计算器重新计算以更新前述回归趋势线；提供另一太阳能电池，对前述太阳能电池的第一区域及第二区域进行电性测量，而相应地得到一第一数值及一第二数值；将前述第一数值作为X坐标代入更新后的前述回归趋势线的方程式中，得到一Y坐标的理论值；以及将对前述太阳能电池的前述第二区域进行电性测量而得到的前述第二数值除以前述Y坐标的理论值，得到一比值，前述比值若落在一预定范围外，则判定为具有缺陷的太阳能电池。3.根据权利要求2所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，前述预定范围为0.5至1.5。4.根据权利要求2所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，前述预定范围为0.8至1.2。5.根据权利要求1所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，所述多个太阳能电池的数量减掉前述具有缺陷的太阳能电池之后，剩下的数量为三片以上。6.根据权利要求1所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，所述多个太阳能电池的数量为三十片以上。7.根据权利要求1所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，前述第一区域为全区域。8.根据权利要求1所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，前述第一区域为不会发生缺陷的区块。9.根据权利要求1所述的具有缺陷的太阳能电池的检出方法，其特征在于，前述预定倍数标准差为正负二倍标准差。10.根据权利要求1所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：张崇佑，魏慕慈，
申请(专利权)人：英稳达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71