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增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构技术
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文档序号:7673292
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一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板;施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,因此,第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次...
该专利属于英稳达科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英稳达科技股份有限公司授权不得商用。
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