应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法，包括清洗晶圆，对晶圆进行涂胶和前烘，用夹具固定晶圆形成晶圆对，对晶圆对进行热压键合，去除SI支撑层和BOX层等步骤，本发明专利技术无需考虑敏感材料沉积条件与CMOS晶圆的工艺兼容性问题，可以使用沉积温度在600℃以上的硅锗/硅量子阱材料，拓展了非制冷红外焦平面可使用的敏感材料范围；免去了对晶圆键合面的抛光工艺，平行转移后的材料黏附的也更好，更适应于大规模生产；本发明专利技术直接以键合胶作为牺牲层存在，无论是键合胶的涂布工艺还是去除工艺都更为简单，牺牲层的厚度也更加灵活可控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子加工技术应用在红外成像器件制造领域，特别是ー种。
技术介绍
红外成像技术在军事和民用领域有着广泛的应用与需求。红外成像反应了物体表面热辐射及其内部热耗散的信息，是人们在可见光波段范围外的视觉延伸，是观察和感知客观世界的ー种新手段。随着红外敏感材料技术的突破以及MEMS (微电子机械系统)制造技术的飞速发展和日益成熟，微型测辐射热仪已经被广泛应用于军事和民用领域，如热像仪、夜视摄像机、热传感器、监控像机等产品。这些仪器的主要性能是由测辐射热计阵列像元的红外吸收率、电阻温度系数(TCR)、热绝缘性和噪声性能等多因素共同決定的。在这些參数中电阻温度系数特性以及电阻特性是影响微型测福射热仪(microbolometers)性能的重要因素。因此寻找各种测辐射热材料的开发研究工作非常活跃，这些材料包括金属、氧化物，半导体和超导体材料等。其中硅锗/硅型量子阱材料由于其较高的TCR及相对传统TCR材料(氧化钒、非晶硅)较低的噪音特征，非常适合应用于微测辐射热仪，因此备受瞩目。但是由于硅锗/硅量子阱材料的沉积温度(600°C以上)远大于CMOS (互补金属氧化物半导体)读出电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王开鹰，董涛，方中，何勇，杨朝初，苏岩，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：