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本发明公开了一种应用于非制冷红外焦平面的硅锗薄膜平行转移方法，包括清洗晶圆，对晶圆进行涂胶和前烘，用夹具固定晶圆形成晶圆对，对晶圆对进行热压键合，去除SI支撑层和BOX层等步骤，本发明无需考虑敏感材料沉积条件与CMOS晶圆的工艺兼容性问题，...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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