【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别是涉及特性良好且尺寸小的。
技术介绍
存储装置使用于许多产品之中，例如MP3播放器、数字相机、电脑档案等等的存储元件中。随着应用的增加，对于存储装置的需求也趋向较小的尺寸、较大的存储容量。因应这种需求，需要制造高元件密度的存储装置。设计者们开发一种提高存储装置密度的方法是使用三维堆叠存储装置，用于达成更高的存储容量，同时降低每一位元的成本。然而，目前此种存储装置的存储单元尺寸的微缩极限仍大于50nm，很难有重大的突破。存储装置的效能可也能受到使用的元件材料而有所限制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于一种，能形成特性良好且尺寸小的半导体结构。为达上述目的，本专利技术提供一种半导体结构的制造方法。其方法包括以下步骤。在基底上形成第一含娃导电材料。在第一含娃导电材料上形成第二含娃导电材料。第一含娃导电材料与第二含硅导电材料具有不同的掺杂质条件。热氧化第一含硅导电材料与第二含硅导电材料，以使第一含硅导电材料全部转变成绝缘氧化结构，第二含硅导电材料转变成含硅导电结构与绝缘氧化层。提供一种半导体结构。半导体结构包括基底、绝缘氧化结构、含硅导电结构与绝缘氧...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕函庭，萧逸璇，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。