高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线技术

本发明专利技术公开了一种高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线，换能器制备时，先在传声介质两端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻，形成底电极图形；再在两端底电极上沉积压电层薄膜；最后在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜，用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻，形成上电极图形。本发明专利技术无需光刻氮化铝压电薄膜，简化了制备工艺，避免了底电极薄膜图形在刻蚀氮化铝时遭破坏，避免了氮化铝腐蚀表面残留物对后续工艺质量的影响。本发明专利技术可以优化高频体声波延迟线制备工艺，简化高频体声波延迟线换能器制备工艺，并提高器件工艺制备成品率和产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】
高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线
本专利技术涉及体声波延迟线的改进，具体指高频体声波延迟线换能器制备方法，同时还涉及基于该换能器的高频体声波延迟线，属于微声薄膜器件
。
技术介绍
体声波延迟线主要用于无线高度表的基准校正，具有高频、宽带、低插损、小体积、高稳定性的特点。在微波系统信号处理，特别是在微波延迟信号的处理上具有不可替代的优势。随着新型电子装备系统的发展，对更高频率的体声波延迟线的应用也提出了需求。薄膜压电换能器是体声波延迟线的基础，它的制作工艺决定了高频体声波延迟线的制作工艺，是高频体声波延迟线性能实现的保障。因此，体声波延迟线的技术进步往往通过体声波薄膜换能器的技术革新来实现。常规体声波薄膜换能器的制备工艺步骤: 1)传声介质清洗； 2)在传声介质的两个端面分别采用溅射或蒸发方法沉积底电极薄膜铬和金，用底电极光刻板刻蚀得到底电极图形； 3)在两端底电极上采用溅射方法沉积氮化铝压电层薄膜；刻蚀得到压电层图形； 4)在两端压电层上采用溅射或蒸发方法沉积上电极薄膜铝，用上电极光刻板刻蚀得到上电极图形。该薄膜换能器结构与工艺有以下几个缺点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频体声波延迟线换能器制备方法，其特征在于：步骤如下，1）清洗传声介质；2）在传声介质两个端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻，形成底电极图形；3）在两端底电极上沉积压电层薄膜，压电层薄膜材料为氮化铝；4）在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜，用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻，形成上电极图形。

【技术特征摘要】
1.一种高频体声波延迟线换能器制备方法，其特征在于:步骤如下， 1)清洗传声介质； 2)在传声介质两个端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光亥IJ，形成底电极图形； 3)在两端底电极上沉积压电层薄膜，压电层薄膜材料为氮化铝； 4)在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜，用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻，形成上电极图形。2.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法，其特征在于:所述底电极薄膜由底电极打底层和底电极层构成，先在传声介质两个端面沉积底电极打底层，底电极打底层薄膜材料为铬；然后在底电极打底层上沉积底电极层，底电极层薄膜材料为金；底电极图形光刻时要同时对底电极打底层和底电极层进行光刻。3.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法，其特征在于:所述压电层薄膜材料为(002)面取向的A1N。4.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法，其特征在于:所述上电极薄膜由上电极打...

【专利技术属性】
技术研发人员：江洪敏，陈运祥，马晋毅，石越，杜波，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85