一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法，包括以下步骤：对硅片表面氧化层循环酸处理；采用快排方式清洗；烘干过程保证硅片在花篮中位置不发生变动；承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成一定的夹角。本发明专利技术可有效的去除二次清洗过程中产生的花篮印，并保证对后续工艺及最终电池片性能无影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于太阳能晶硅电池片制造

技术介绍
传统的二次清洗工艺方法在清洗氧化层之后需要脱水处理，目前主流的方法有甩干和经过纯水槽的慢提拉处理后烘干两种方法。机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴，但碎片率高；而慢提拉处理能大大降低碎片率及硅片的机械损伤被广泛关注。大规模生产中，采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印，镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记，对成品的外观影响很大。大规模生产中，采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印，镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记，对成品的外观影响很大。传统的二次清洗工艺方法在清洗氧化层之后需要脱水处理，目前主流的方法有甩干和经过纯水槽的慢提拉处理后烘干两种方法。机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴，但碎片率高；而慢提拉处理能大大降低碎片率及硅片的机械损伤被广泛关注。大规模生产中，采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印，镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记，对成品的外观影响很大。本专利技术属于太阳能晶硅电池片制造领域，具体涉及一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙良欣，张应可，陈壁滔，
申请(专利权)人：北京吉阳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：