在太阳能电池制造中用于改善低粘度印刷的湿化学抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板上形成抛光表面以及在所述抛光表面上以交叉图案形成第一可流动基体，其中所述抛光表面允许所述第一可流动基体形成包含厚度和宽度均匀的特征部的交叉图案。在一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于金刚石线或浆料切片工艺的方法来形成所述硅基板。在另一个实施例中，所述方法包括使用诸如但不限于硫酸(H2SO4)、乙酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)或磷酸(H3PO4)的化学蚀刻剂在所述硅基板上形成所述抛光表面。在再一个实施例中，所述蚀刻剂是各向同性蚀刻剂。在又一个实施例中，所述方法包括提供具有至多500纳米峰到谷粗糙度的硅基板表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480012403

【技术保护点】
一种在太阳能电池上形成第一可流动基体的方法，所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面，所述方法包括：在硅基板上形成抛光表面；以及在所述抛光表面上以交叉图案形成第一可流动基体，所述交叉图案包含厚度和宽度均匀的特征部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.13 US 13/801,1921.一种在太阳能电池上形成第一可流动基体的方法，所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面，所述方法包括：在硅基板上形成抛光表面；以及在所述抛光表面上以交叉图案形成第一可流动基体，所述交叉图案包含厚度和宽度均匀的特征部。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅基板使用选自浆料切片工艺和金刚石线切片工艺的工艺形成。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述抛光表面包括：用各向异性蚀刻剂蚀刻所述硅基板以形成平滑表面；以及随后用各向同性蚀刻剂蚀刻所述平滑表面以形成所述抛光表面。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述抛光表面包括用各向同性蚀刻剂蚀刻所述硅基板。5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硅基板上形成所述抛光表面包括使用选自硫酸(H2SO4)、乙酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)和磷酸(H3PO4)的化学蚀刻剂来蚀刻硅基板。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光表面包括具有至多500纳米峰到谷粗糙度的硅基板表面。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一可流动基体包含具有在1至25厘泊(cP)范围内的粘度的材料。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一可流动基体包含选自可流动非晶硅和可流动多晶硅的材料。9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一可流动基体包括使用选自喷墨印刷、丝网印刷和旋涂的方法。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一可流动基体包含具有第一掺杂剂源的第一掺杂剂材料。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：将所述硅基板和所述第一掺杂剂材料加热至足以使所述第一掺杂剂源扩散进所述硅基板的温度从而在所述硅基板内形成第一掺杂区；在所述抛光表面上以交叉图案形成包含具有第二掺杂剂源的第二掺杂剂材料的第二可流动基体，所述交叉图案包含厚度和宽度均匀的特征部；将所述硅基板和所述第二掺杂剂材料加热至足以使所述第二掺杂剂源扩散进所述硅基板的温度从而在所述硅基板内形成第二掺杂区；在所述第一和第二掺杂区上沉积第一介电层；在所述第一介电层内形成多个接触开口；形成穿过在所述第一和第二掺杂区上形成的所述介电层而建立的第一金属层，其中所述第一金属层包含在所述背面上与所述第一和第二掺杂区电连接的网格；以及在所述第一金属层上形成第二金属层，其中所述第一金属层将所述第二金属层电联接到所述第一和第二掺杂区。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二掺杂剂源包含选自硼和磷的掺杂剂。13.一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面，所述方法包括：使用蚀刻剂在硅基板上形成抛光表面，其中所述抛光表面具有至多500纳米峰到谷粗糙度并在所述太阳能电池的所述背面上形成；在所述抛光表面上以交叉图案沉积第一和第二掺杂剂材料，各掺杂剂材料具...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉娜维芙·A·所罗门，斯科特·哈林顿，坎恩·伍，保罗·卢斯科托福，邬俊波，史蒂文·爱德华·莫里萨，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国;US