化学气相沉积设备的温度控制方法技术

需要一种能够区分衬托器表面和晶片表面之间的温度差异并且通过反映所述温度差异控制温度的方法。为了实现此目的，本发明专利技术提供一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；衬托器，位于所述腔室的内侧以在所述腔室中转动，其中晶片层叠在衬托器上侧；设置在所述腔室内并且向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器内并且加热所述晶片的加热器；以及位于所述腔室中并且测量温度的温度传感器。所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温段划分为衬托器段，将所述温度分布的相对低温段划分为晶片段；以及(b)通过将预设参考温度与在所述衬托器段或所述晶片段的选定位置的温度进行比较来控制加热器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更具体地，涉及一种能够精确地测量衬托器上表面的温度分布并且还能够精确地控制衬托器上表面温度的温度控制方法。
技术介绍
化学气相沉积设备用于在半导体晶片的表面上沉积薄膜。所需薄膜通过经由气体供应单元向腔室吹入处理气体而沉积在位于衬托器中的晶片上。在沉积薄膜时，足够的内部温度是重要的，因为这对薄膜的品质有很大影响。具体地，在金属有机化学气相沉积(MOCVD)中，仅当有效地进行温度控制时，才能给获得高效的发光设备。为了有效的温度控制，首先，必须可以精确地核查衬托器上表面处的温度分布。这是因为将当精确的温度分布核查无误时才可以核查将要供应到加热器的电功率总额。被装载到衬托器上表面中的多个晶片中的表面温度和衬托器的表面温度之间可能存在特定的温度差。根据现有技术，通过不互相区分衬托器表面的温度和晶片表面的温度的方式来进行温度控制。为了生产更高效且更高品质的薄膜，需要通过准确地核查表面温度差来精确地进行温度控制。然而，存在的问题是，为了核查温度差，必须额外安装很复杂且昂贵的装置。
技术实现思路
技术问题为了生产高品质的薄膜，需要一种准确核查衬托器上温度分布的方法。更具体地，需要一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪性在，
申请(专利权)人：丽佳达普株式会社，
类型：发明
国别省市：