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需要一种能够区分衬托器表面和晶片表面之间的温度差异并且通过反映所述温度差异控制温度的方法。为了实现此目的，本发明提供一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；衬托器，位于所述腔室的内侧以在所述腔室中转动，其中晶片层叠...
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