半导体装置及半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式具备存储电路，该存储电路包括：n个场效应晶体管，该n个场效应晶体管中的每一个是场效应晶体管，将数字数据信号输入到第一个场效应晶体管的源极和漏极中的一方，第k个(k是2以上且n(n是2以上的自然数)以下的自然数)场效应晶体管的源极和漏极中的一方与第(k-1)个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接；以及n个电容元件，该n个电容元件中的每一个具有一对电极，第m个(m是n以下的自然数)电容元件的一对电极中的一方与n个场效应晶体管中的第m个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，至少两个电容元件的电容值不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体存储装置
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
近年来，对具备能够进行数据的写入、数据的读出以及数据的擦除的存储电路的半导体装置进行开发。作为上述半导体装置，例如可以举出具备存储元件的晶体管(也称为存储晶体管)或包括使用铁电材料的元件的存储电路的半导体装置等(例如专利文献1及专利文献2)。[专利文献1]日本专利申请公开昭57-105889号公报[专利文献2]日本专利申请公开平06-196647号公报但是，如专利文献1或专利文献2所示那样的现有的半导体装置具有如下问题，即：在将数据写入到存储晶体管之后，由于电荷的泄漏数据消失。在能够储存数据的半导体装置中，数据的保持期间优选更长。另外，在现有的半导体装置中，当使一个存储电路储存2位以上的多个位(也称为多值)的数据时，通过位线输出模拟数据信号，所以对模拟数据信号的由于杂波造成的影响大，有可能数据的值不准确。尤其是，所写入的数据的位数越大，由于杂波造成的影响越明显。此外，在现有的半导体装置中，当使一个存储电路储存2位以上的多个位(也称为多值)的数据时，需要通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.01.13 JP 2011-0048181.一种半导体装置，包括：存储电路，其中，所述存储电路包括：在第一组中的n个场效应晶体管，n是2以上的自然数；以及其每一个具有一对电极的n个电容元件；以及在第二组中的场效应晶体管，其中，数字数据信号输入到在所述第一组中的第一个场效应晶体管的源极和漏极中的一方，其中，在所述第一组中的第二个场效应晶体管的源极和漏极中的一方与所述第一组中的所述第一个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，其中，所述n个电容元件中的第一个电容元件的所述一对电极中的一方与在所述第一组中的所述第一个场效应晶体管的源极和漏极中的所述另一方电连接，并且所述n个电容元件中的所述第一个电容元件的所述一对电极中的另一方与布线电连接，其中，所述n个电容元件中的第二个电容元件的所述一对电极中的一方与在所述第一组中的所述第二个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，并且所述n个电容元件中的所述第二个电容元件的所述一对电极中的另一方与所述布线电连接，其中，所述n个电容元件中的至少两个具有不同的电容值，并且其中，在所述第二组中的所述场效应晶体管的栅极电连接到在所述第一组中的第n个场效应晶体管的源极和漏极中的一方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述n个场效应晶体管每一个均包括其中形成沟道的氧化物半导体层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括彼此分开、添加有掺杂剂且在其间形成所述沟道的一对区域。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层中的至少形成所述沟道的区域是非单晶的并包括如下相，该相在从垂直于ab面的方向看时具有三角形状、六角形状、正三角形状或正六角形状的原子排列，并且在该相中在c轴方向上金属原子排列为层状或者在所述c轴方向上所述金属原子和氧原子排列为层状。5.一种半导体装置，包括：存储电路，其中，所述存储电路包括：第一组中的n个场效应晶体管，n是2以上的自然数；其每一个具有一对电极的n个电容元件；以及第二组中的场效应晶体管，其中，数字数据信号输入到所述第一组中的第一个场效应晶体管的源极和漏极中的一方，其中，所述第一组中的第二个场效应晶体管的源极和漏极中的一方与所述第一组中的所述第一个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，其中，所述n个电容元件中的第一个电容元件的所述一对电极中的一方与所述第一组中的所述第一个场效应晶体管的源极和漏极中的所述另一方电连接，并且所述n个电容元件中的所述第一个电容元件的所述一对电极中的另一方与布线电连接，其中，所述n个电容元件中的第二个电容元件的所述一对电极中的一方与所述第一组中的所述第二个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，并且所述n个电容元件中的所述第二个电容元件的所述一对电极中的另一方与所述布线电连接，其中，所述n个电容元件中的至少两个具有不同的电容值，并且其中，所述第二组中的所述场效应晶体管的栅极与所述第一组中的第n个场效应晶体管的源极和漏极中的一方以及所述n个电容元件中的第n个电容元件的所述一对电极中的一方电连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一组中的所述n个场效应晶体管每一个均包括其中形成沟道的氧化物半导体层。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括彼此分开、添加有掺杂剂且在其间形成所述沟道的一对区域。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层中的至少形成所述沟道的区域是非单晶的并包括如下相，该相在从垂直于ab面的方向看时具有三角形状、六角形状、正三角形状或正六角形状的原子排列，并且在该相中在c轴方向上金属原子排列为层状或者在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山润，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：