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本发明的一个方式具备存储电路，该存储电路包括：n个场效应晶体管，该n个场效应晶体管中的每一个是场效应晶体管，将数字数据信号输入到第一个场效应晶体管的源极和漏极中的一方，第k个(k是2以上且n(n是2以上的自然数)以下的自然数)场效应晶体管的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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