IC封装件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种IC封装件。该IC封装件包括引线框架，该引线框架包括在第一侧上部分蚀刻的金属带（222）。可配置该引线框架用于在其上安装IC芯片以及用于将多个接合区域（218）电耦合到引线框架和IC芯片。IC芯片、接合区域和金属引线框架的一部分用封装混合物所覆盖，并且从引线框架的底部表面突出多个接触垫（206）。在制造过程期间，引线框架的底部表面可被蚀刻一次或多次以减小底切的深度。还提供了一种用于制造IC封装件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利申请一般地涉及集成电路(IC)封装技术，并且特别地但不作为限制，涉及用于图案化IC封装引线框架的系统和方法。
技术介绍
IC封装是IC器件制造中所涉及的最后阶段之一。在IC封装期间，一个或多个IC 芯片被安装在封装基板上，与电接触点相连接，并且接着用包括电绝缘体的封装材料涂覆， 该电绝缘体例如是环氧树脂或硅模制混合物。得到的IC封装件可接着被安装到印刷电路板(PCB)上和/或连接到其它电子组件。时常地，无引线的IC封装件可包括电接触点而非外部引线，其中电接触点在顶部上被封装材料所覆盖并且在IC封装件的底部上被暴露，因此电接触点可以被连接到位于 IC封装件之下的电子组件。时常地，使用金属引线框架形成部分IC封装件可以比使用层压板或条带材料更有成本效率，因为例如，可使用更有成本效率的材料，例如铜、镍或其它金属或合金，并且使用这样的材料可允许采用更有成本效率的制造过程，例如冲压或蚀刻，而非多步骤层压过程。在过去，无引线IC封装件已经受限制，因为可被利用来在IC芯片的I/O端口来回传递电信号的端子的最大数量被限制为可位于管芯连接垫(Die-Attach Pad, DAP)的周边周围的端子数量。已进行了增加可用于与IC芯片的I/O端口电连接的端子数量的尝试，包括减少端子之间的距离以便在DAP的周边周围安装更多的端子，以及增加布置在DAP的周边周围的端子行的数量。然而，增加端子行的数量要求减少IC芯片的尺寸或增加IC封装件的尺寸。此外，端子之间能被减小的距离量被限制为在PCB上的连接点之间的最小距离， 其是相对大的。
技术实现思路
考虑本申请公开的各种实施例。本专利技术的以上概要不意在表示本专利技术的每个实施例或每个方面。 附图说明当结合附图一起理解时，可通过参照随后的详细说明书得到本专利技术的各种实施例的更全面的理解，其中图1说明了用于IC封装件制造过程中的引线框架带的实施例； 图2A-E说明了在制造过程的各阶段的无引线IC封装件的实施例的多个方面；图3A-B是金属引线框架的实施例的两个视图，金属引线框架具有形成在其顶部表面上的多个金属迹线；图4A-B是引线框架的实施例的两个顶视图，引线框架具有在其外围周围的两行接合区域；图5说明了在制造过程的各阶段的图4A的引线框架的实施例的细节A和B ； 图6A和6B说明了在两个制造过程的各阶段的IC封装件的实施例的各方面的侧视图； 图7A-B说明了在用于图案化接触垫的制造过程的各阶段的IC封装件的实施例的各方面的侧视图8A-B说明了在用于图案化接触垫的制造过程的各阶段的IC封装件的实施例的各方面的侧视图9是用于制造IC封装件的过程的实施例的流程图；以及图10是用于制造IC封装件的过程的各种实施例流程图。具体实施例方式现在将参照附图更全面地描述本专利技术的各种实施例。然而，本专利技术可以体现在许多不同形式，并且不应当被解释为限定于在此阐述的实施例；而是，提供实施例使得本公开将详尽和完整，并会将本专利技术的范围全面地传达给本领域技术人员。现在参照图1，示出了例如可用于IC封装件制造过程的类型的金属带100。金属带100包括置于其上的多个器件区域101。在一些实施例中，金属带100可以是铜或其它金属或合金，并且可具有5mil、大于5mil或小于5mil的厚度。在各种实施例中，器件区域 101可在尺寸上变化，并且在金属带100上的器件区域101的数量也可以变化。例如，在一些实施例中，在金属带100上的器件区域101的数量可以是从小于100到大于1000的任何数量。在IC制造过程期间，一个或多个IC芯片可被附着到每个器件区域101并且被封装在封装混合物之内。在各种实施例中，IC芯片可通过线焊被电耦合到器件区域101或以倒装芯片结构直接耦合到那里。IC制造过程也可包括使器件区域101彼此之间单个化 (singulating)以形成多个IC封装件，该多个IC封装件可被配置为安装到外部器件，例如 PCB。当IC封装件安装到PCB上时，IC芯片可通过置于IC封装件底部表面上的接触区域被电耦合到PCB。现在参照图2A-2E，示出了在制造过程的各阶段的IC封装件的实施例的多个方面。出于描述目的，相对于单个IC封装件来描述制造过程，但在各种实施例中，制造过程的步骤可被应用到引线框架带的多个器件区域的一些或全部，例如图1中示出的金属带100。 现在参照图2A，过程开始于未蚀刻的引线框架200，例如金属带的器件区域。在图2B中，引线框架200已经被部分地蚀刻以形成在其顶部表面限定了金属迹线222的凹进处226。在示出的实施例中，金属镀覆已经被添加到置于金属迹线222顶部表面上的接合区域218。接合区域218的金属镀覆可通过将可接合的或可焊接的材料施加到金属迹线222来形成，该材料可例如是电镀金属或包层金属，例如银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、铜(Cu)或其它可接合材料。在一些实施例中，金属迹线222的底部表面的部分可用可焊接材料来涂覆，例如金属镀覆。如在以下将更详细描述的，在本实施例中已经电镀了将稍后成为接触垫206的底部表面的区域。在图2C中，IC芯片204已经使用例如环氧树脂的粘合材料被固定到引线框架200的顶部表面，例如通过线焊214电耦合到接合区域218，并且已经施加封装混合物208 (示为阴影区域)来封装IC芯片204和线焊214。此外，封装混合物208还已经被填充到凹进处226中，包括置于IC芯片204下面的凹进处226。在图2D中，引线框架200的底部表面已经被蚀刻掉。在示出的实施例中，引线框架200已经跨过其整个底部表面而被蚀刻以移除其部分200a。在各种实施例中，整个底部表面的子集可被蚀刻掉。如在作为对比图2C的图2D中可见的，引线框架的厚度已经被减小。如将在以下更详细描述的，跨过从其整个底部表面而减小引线框架200的厚度，如果有的话，在稍后的部分蚀刻或图案化蚀刻期间将需要蚀刻掉更少的材料，这可以减少底切，由此改善了电连接性，并在一些实施例中，可允许形成更薄的接触垫。例如，在一些实施例中， 引线框架200可具有大约^iil的厚度，并且厚度可以被减小大约Imil或更多。现在参照图2E，引线框架200的底部表面已经被部分蚀刻以在其中形成图案。在各种实施例中，置于引线框架200的底部表面上的接触垫206可以用金属镀覆电镀。在各种实施例中，底部表面的蚀刻可包括与形成在引线框架200的顶部表面中的凹进处2 相对应的引线框架200的蚀刻部分226a，以在那些区域处完全蚀刻穿过引线框架200，并且在一些位置处，暴露封装混合物208的底部表面。在各种实施例中，除了在凹进处226以下的金属迹线222之间的引线框架200的部分226a的区域之外，该蚀刻可包括移除一些金属迹线222的区域22加。在一些实施例中，保护涂层2 可被添加到金属迹线222的底部表面的一部分。现在参照图3A，示出了在引线框架300上安装IC芯片之前的引线框架300的顶视图。在示出的实施例中，引线框架300具有蚀刻到其顶部表面中的多个凹进处326(示为非阴影部分)，其中凹进处3 在引线框架300的顶部表面上形成多个金属迹线322 (示为阴影部分)。金属迹线322可被形成具有任何尺寸的任何宽度，例如，在一些实施例中，金属迹线322的宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李同乐，
申请(专利权)人：李同乐，
类型：发明
国别省市：