硅片背面缺陷正面打点的定位结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅片背面缺陷正面打点的定位结构，包括安装硅片的片盒，所述片盒的四周各设有一标尺，其中两根相邻的标尺外侧分别设有一激光定位灯，每个激光定位灯发出的激光与不相邻的两标尺相交，且交点所在的刻度值相同。本实用新型专利技术通过对具体缺陷位置的坐标化，改变了现有人为目测计算die位置的费时费力的做法，提高了工作效率和定位准确率，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

硅片背面缺陷正面打点的定位结构
本技术涉及半导体集成电路制造领域，属于一种用于缺陷监控的硅片背面缺陷正面打点的定位结构。
技术介绍
在硅片的生产制造过程中，经常会出现某个die(晶粒)有缺陷，通常发现硅片背面晶粒有缺陷时，通过先从背面数die的方法来确定位置，再翻到正面通过数die的方法进行打点。这种定位方式不但费时费力，还容易污染UV膜，并且定位的准确率很低。通过现有实验数据，此种做法通常一个die平均花费5分钟，同时容易出错，风险呈几何级数增加。 并且由于现有检查方法导致硅片翻转以后正面和净化纸相接触，在相对移动中易引起新的划伤异常。随着单枚硅片背面缺陷的增加，所耗时间和所产生的风险将递增。由于当前划片槽尺寸越来越小，背面崩齿等缺陷对硅片的影响越来越大。为了改变当前较原始的定位打点方式，所以需要一个操作方便的缺陷定位装置，能精确定位正背面缺陷的同步性，以达到准确对背面缺陷die进行正面打点。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种硅片背面缺陷正面打点的定位结构，可以精确定位背面缺陷在正面的位置，提高正面打点的准确性，并且省时省力。为解决上述技术问题，本技术的硅片背面缺陷正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈雅雅，陈杰，汪雪锋，高倩，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：