P型硅片Cu污染检测方法技术

本发明专利技术P型硅片Cu污染检测方法，包括如下步骤：第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟；第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上；第三步，将晾干的硅片进行ICP-MS测定。所述第一步中，润湿为硅片与电阻率大于18Ω的去离子水接触。所述接触为冲洗或者浸泡。所述第二步中，常规环境为100级以及100级以上的无尘室环境，温度21℃～25℃，湿度为30％～70％。所述P型硅片为掺杂剂为Boron的硅片。本发明专利技术P型硅片Cu污染检测方法能够有效测定出P型硅片所受到的Cu污染，并且大大缩短了时间，对于后期的预防不良品流出以及质量改善具有重大意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种抛光片Cu金属污染新的检测方法，特别是P型硅片的Cu污染的测定。
技术介绍
硅片在抛光清洗的目的在于去除表面金属，为了表征其清洗的效果，一般在清洗后会对硅片进行ICP-MS抽样测定，目的就在于通过测定来监控表面金属含量，而一般的硅片其污染只会发生在表面，故通过清洗其表面金属可以去除。对于P型硅片，由于其晶体结构及掺杂剂影响，在加工过程中很容易受到Cu污染，而且污染的Cu会扩散至硅片体内，受扩散速度和扩散条件影响，这部分Cu短时间内不会逆向扩散到表面被清洗掉，但是在一段时间(一般需要30天以上)的储存后，可能由于某些条件催化影响，又会被析出表面造成表面污染，这时由于产品已经出荷，污染不能被发现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够在硅片清洗后快速评估硅片体内或表面是否受到Cu污染的。为解决上述技术问题，本专利技术，包括如下步骤:第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟；第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上；第三步，将晾干的硅片进行ICP-MS测定。所述第一步中，润湿为硅片与电阻率大于18Ω的去离子水接触。所述接触为冲洗或者浸泡。所述第二步中，常规环境为100级以及100级以上的无尘室环境，温度21°C?25°C，湿度为30%?70%。所述P型娃片为掺杂剂为Boron的娃片。本专利技术能够有效测定出P型硅片所受到的Cu污染，并且大大缩短了时间，对于后期的预防不良品流出以及质量改善具有重大意义。【附图说明】图1为本专利技术流程图；图2为现有技术与本专利技术的检测对比图一；图3为现有技术与本专利技术的检测对比图二。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示，本专利技术，第一步，利用去离子水润湿掺杂剂为Boron的硅片表面至少3分钟以上，润湿是指硅片以冲洗或者浸泡的方式与电阻率大于18 Ω的去离子水接触，使其表面容易发生氧化还原的电子交换，为Cu离子的析出提供必要的价电子，润湿时需要对硅片每部分均作处理。第二步，自然晾干12小时以上，在100级以及100级以上的无尘室环境晾干(室内保持温度21°C?25°C，湿度为30 %?70 % )，使污染的Cu离子能够充分被析出到硅片表面；第三步，ICP-MS测定扩散至硅片表面的Cu。如图2、图3所示，可见，同样受到污染的硅片，分别在清洗后测定、储存30天后测定、以及采用本专利技术方法测定到的表面Cu，后两者的测定结果在同一数量级；同样未受污染的硅片，分别在清洗后测定、储存30天后测定、以及采用本专利技术方法测定到的表面Cu，三者均未有Cu，而通过重复性实验得出的结果也一致。本专利技术能够有效测定出P型硅片所受到的Cu污染，并且大大缩短了时间，对于后期的预防不良品流出以及质量改善具有重大意义。以上已对本专利技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本专利技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。【主权项】1.，其特征在于，包括如下步骤: 第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟； 第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上； 第三步，将晾干的硅片进行ICP-MS测定。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述第一步中，润湿为硅片与电阻率大于18Ω的去离子水接触。3.根据权利要求2所述的，其特征在于，所述接触为冲洗或者浸泡。4.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述第二步中，常规环境为100级以及100级以上的无尘室环境，温度21°C?25°C，湿度为30%?70%。5.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述P型硅片为掺杂剂为Boron的娃片。【专利摘要】本专利技术，包括如下步骤：第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟；第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上；第三步，将晾干的硅片进行ICP-MS测定。所述第一步中，润湿为硅片与电阻率大于18Ω的去离子水接触。所述接触为冲洗或者浸泡。所述第二步中，常规环境为100级以及100级以上的无尘室环境，温度21℃～25℃，湿度为30％～70％。所述P型硅片为掺杂剂为Boron的硅片。本专利技术能够有效测定出P型硅片所受到的Cu污染，并且大大缩短了时间，对于后期的预防不良品流出以及质量改善具有重大意义。【IPC分类】H01L21-66【公开号】CN104538325【申请号】CN201410748502【专利技术人】金文明, 贺贤汉, 宋玮 【申请人】上海申和热磁电子有限公司【公开日】2015年4月22日【申请日】2014年12月9日本文档来自技高网...

【技术保护点】
P型硅片Cu污染检测方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟；第二步，在常规环境下晾干12小时以及12小时以上；第三步，将晾干的硅片进行ICP‑MS测定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金文明，贺贤汉，宋玮，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31