金属栅极的形成方法技术

本发明专利技术提供一种金属栅极的形成方法，提供形成有栅介质层的基底，在介质层上形成牺牲层；对牺牲层进行离子注入形成第二牺牲层，剩余的未掺杂离子的牺牲层为第一牺牲层；主刻蚀牺牲层形成第一替代栅电极层；修正刻蚀第一替代栅电极层形成底部宽度小于开口宽度的第二替代栅电极层；在栅介质层上形成与第二替代栅电极层表面齐平的介质层；去除所述第二替代栅电极层形成沟槽；采用填充物质对沟槽进行填充，形成金属栅极。本发明专利技术形成底部宽度小于开口宽度的沟槽，避免填充物质后金属栅极产生空隙，提高金属栅极的质量，进而避免金属栅极的电阻值较待形成的目标电阻值偏高及偏高的电阻值导致功耗上升问题，提高含有所述金属栅极的半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
随着技术节点的降低，传统的栅介质层不断变薄，晶体管漏电量随之增加，引起半导体器件功耗浪费等问题。为解决上述问题，现有技术提供一种将金属栅极替代多晶硅栅极的解决方案。其中，“后栅极(gate last)”工艺为形成金属栅极的一个主要工艺。专利公开号为CN101438389A的中国专利申请提供一种使用“后栅极”工艺形成金属栅极的方法，包括提供基底，所述基底上形成有替代栅结构、及位于所述基底上覆盖所述替代栅结构的层间介质层；以所述替代栅结构作为停止层，对所述层间介质层进行化学机械抛光工艺；除去所述替代栅结构后形成沟槽；最后对所述沟槽填充介质和金属，以形成栅介质层和金属栅电极层。实际应用中发现，通过上述技术方案形成的半导体器件的可靠性较低。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，以解决采用现有技术形成的半导体器件的可靠性较低的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种，包括提供基底，所述基底上形成有栅介质层；在所述栅介质层上形成牺牲层；对所述牺牲层进行离子注入，形成掺杂离子的第二牺牲层，剩余的未掺杂离子的牺牲层为第一牺牲层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：