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本发明提供一种金属栅极的形成方法，提供形成有栅介质层的基底，在介质层上形成牺牲层；对牺牲层进行离子注入形成第二牺牲层，剩余的未掺杂离子的牺牲层为第一牺牲层；主刻蚀牺牲层形成第一替代栅电极层；修正刻蚀第一替代栅电极层形成底部宽度小于开口宽度的...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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