晶片封装体制造技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，设置于该第一表面处；一保护层，位于该基底的该第二表面上，该保护层具有一开口；一遮光层，位于该基底的该第二表面上，其中部分的该遮光层延伸于该保护层的该开口中；一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且填充于该保护层的该开口中；以及一导电层，位于该基底与该保护层之间，其中该导电层电性连接该光电元件与该导电凸块。本发明专利技术晶片封装体的遮光层或遮光层与导电凸块可阻挡及/或吸收外界的光线，进而提升光电元件的光线感测精准度或发光精准度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于晶片封装体，且特别是有关于光电元件晶片封装体。
技术介绍
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或提供光线的应用中扮演着重要的角色。这些光电元件均已广泛地应用于例如是数字相机(digital camera)、数字摄像录像机(digital video recorder)、移动电话(mobile phone)、太阳能电池、屏幕、照明设备等的电子产品中。随着科技的演进，对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光电元件，设置于该第一表面处；一保护层，位于该基底的该第二表面上，该保护层具有一开口 ；一遮光层，位于该基底的该第二表面上，其中部分的该遮光层延伸于该保护层的该开口中；一导电凸块，设置于该基底的该第二表面上，且填充于该保护层的该开口中；以及一导电层，位于该基底与该保护层之间，其中该导电层电性连接该光电元件与该导电凸块。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层包括一第一遮光层及一第二遮光层，其中该第一遮光层位于该保护层上，该第二遮光层位于该保护层的该开口的一侧壁上。本专利技术所述的晶片封装体，该第一遮光层延伸至该第二遮光层。本专利技术所述的晶片封装体，该第二遮光层进一步延伸于该开口的一底部上。本专利技术所述的晶片封装体，该开口露出部分的该导电层，且该第二遮光层覆盖部分的该导电层。本专利技术所述的晶片封装体，该导电凸块设置于该开口中的未被该第二遮光层所覆盖的部分的该导电层上。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层延伸于该开口的一底部上。本专利技术所述的晶片封装体，该导电凸块于该开口的一底部上的一投影与该遮光层于该开口的该底部上的一投影重叠。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层位于该保护层与该基底之间。本专利技术所述的晶片封装体，该保护层位于该遮光层与该基底之间。本专利技术所述的晶片封装体，该保护层不接触该导电凸块。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层直接接触该导电层。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一穿基底导电结构，包括一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸；以及一绝缘层，位于该穿孔的一侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上；其中，该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层上。本专利技术所述的晶片封装体，该穿孔的孔径沿着自该第二表面朝该第一表面的一方向递增。本专利技术所述的晶片封装体，该穿孔的一底部露出一导电垫，该导电垫电性连接该光电元件。本专利技术所述的晶片封装体，该导电层电性接触该导电垫。本专利技术所述的晶片封装体，该光电元件包括一影像感测元件或一发光元件。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层的一底部与该导电凸块的一底部共平面。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层与该导电凸块之间的一最短距离小于该保护层与该导电凸块之间的一最短距离。本专利技术所述的晶片封装体，该遮光层为一绝缘材料。本专利技术晶片封装体的遮光层或遮光层与导电凸块可阻挡及/或吸收外界的光线， 进而提升光电元件的光线感测精准度或发光精准度。附图说明图IA-图IC显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图2A-图2C显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。附图中符号的简单说明如下100 基底；IOOaUOOb 表面；102 光电元件；102a 微透镜阵列；104 导电垫； 106 穿孔；108 绝缘层；110 导电层；112 保护层；113 开口 ；114、114a、114b 遮光层； 116 导电凸块；WUW2 宽度。具体实施例方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/ 或结构之间必然具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。本专利技术一实施例的晶片封装体可用以封装光电元件，例如光感测元件或发光元件。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电兀件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System ； MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical knsor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scale package ； WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes ;LEDs)、太阳能电池 (solar cells)、身寸步页兀件(RF circuits)、力口速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes) > 微制动器(micro actuators)、表面声波兀件(surface acoustic wave devices)、压力感测器(process sensors)喷墨头(ink printer heads)、或功率金属氧化物半导体晶体管模组(power MOSFET modules)等半导体晶片进行封装。其中上述晶圆级封装制程主要指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于借堆叠(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layer integrated circuit devices)的晶片封装体。图IA-图IC显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。如图IA所示， 提供基底100，其例如为半导体基底或陶瓷基底。在一实施例中，基底100包括半导体材料， 其例如为半导体晶圆(如硅晶圆)而可进行晶圆级封装以节省制程时间与成本。基底100 具有表面IOOa与100b。表面IOOa与IOOb例如彼此相反。如图IA所示，在一实施例中，表面IOOa上设置有光电元件102。光电元件102可包括(但不限于)影像感测元件或发光元件。影像感测元件例如是互补式金属氧化物半导体(CM0Q影像感测元件(CIQ或电荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)感测元件， 而发光元件例如是发光二极管元件。光电元件102例如可与形成于表面IOOa上的导电垫 104电性连接，并可通过导电垫104而与其他导电通路连结。在一实施例中，可于光电元件 102上设置微透镜阵列10 以辅助光线的进入及/或发射。虽然，图IA中仅显示出单层的导电垫104。然而，多个导电垫可能彼此堆叠及/或排列于基底100上。例如，在一实施例中，导电垫104为多个彼此堆叠的导电垫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：邱新智，郑家明，许传进，楼百尧，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：