一种掺钽氧化物半导体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种掺钽氧化物半导体材料，由氧化锌基材料和钽组成。该半导体材料由Ta2O5、Al2O3、In2O3以及ZnO四种原料通过共溅射或直接溅射的方法制备而成，其应用于制备薄膜晶体管。本发明专利技术的掺钽氧化物半导体材料具有电子迁移率较高，关态电流低，开关比高等特点；利用本发明专利技术的掺钽氧化物半导体材料作为沟道层的薄膜晶体管制备方法简单，温度低，成本低。值得的薄膜晶体管具有载流子关态电流低及开关比高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体材料，尤其是掺钽氧化物半导体材料，该材料作为薄膜晶体管的沟道层材料可以应用在有机发光显示(OLED)、液晶显示(LCD)、电子纸显示等领域， 也可以用于集成电路领域。
技术介绍
近年来，在平板显示尤其是在有机电致发光显示(OLED)领域，基于氧化物半导体的薄膜晶体管越来越受到重视。目前用在平板显示的薄膜晶体管的半导体沟道层的材料主要是硅材料，包括非晶硅(a_Si:H)、多晶硅、微晶硅等。然而非晶硅薄膜晶体管具有对光敏感、迁移率低(< lcm7Vs)和稳定性差等缺点；多晶硅薄膜晶体管虽然具有较高的迁移率，但是由于晶界的影响导致其电学均勻性差，且多晶硅制备温度高和成本高，限制了其在平板显示中的应用；微晶硅制备难度大，晶粒控制技术难度高，不容易实现大面积规模量产。基于氧化物半导体的薄膜晶体管具有载流子迁移率较高(1 100cm2/Vs)、制备温度低 (< 400 0C，远低于玻璃的熔点)、对可见光透明等优点，在平板显示的TFT基板领域，有替代用传统硅工艺制备的薄膜晶体管的发展趋势。氧化物半导体材料主要包括氧化锌(SiO)、氧化铟锌(IZO)等。其中，Z本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兰林锋，彭俊彪，王磊，
申请(专利权)人：华南理工大学，广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：