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本发明公开了一种掺钽氧化物半导体材料，由氧化锌基材料和钽组成。该半导体材料由Ta2O5、Al2O3、In2O3以及ZnO四种原料通过共溅射或直接溅射的方法制备而成，其应用于制备薄膜晶体管。本发明的掺钽氧化物半导体材料具有电子迁移率较高，关态...
该专利属于华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司授权不得商用。

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