半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。其中，制作半导体器件结构的方法包括：a)提供前端器件层结构，其中，前端器件层结构包括衬底，衬底的表面形成有栅氧化层和多晶硅栅极，多晶硅栅极由侧墙环绕，衬底的位于侧墙的外侧的区域中形成有源/漏区；b)在多晶硅栅极、侧墙和源/漏区的表面形成层间介电层；c)平坦化层间介电层至暴露出多晶硅栅极的表面；d)通过刻蚀去除多晶硅栅极至暴露出栅氧化层，以形成用于容纳金属栅极的沟槽；e)在沟槽中填充金属，以形成金属栅极结构；f)平坦化金属栅极结构至暴露出侧墙以形成金属栅极；g)去除侧墙的上部和所有的层间介电层；和h)在源/漏区的表面形成自对准硅化物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，更特别地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
栅极通常具有半导体制造工艺中的最小物理尺寸，且其宽度通常是晶片上最关键的临界尺寸，因此在半导体器件制造过程中栅极的制作是流程中最关键的步骤。由于多晶硅材料具有耐高温、能够阻挡以离子注入所掺杂的原子进入沟道区域等优点，所以，在制作典型的互补金属氧化物半导体晶体管时通常会使用多晶硅材料来制作晶体管的栅极。但是，多晶硅栅极具有一些缺点，例如，多晶硅栅极具有较高的电阻值，容易产生空乏效应及硼穿透至沟道区域等。因此，对亚45纳米的半导体晶片而言，通常采用金属栅极来代替常规的多晶硅栅极。通常情况下，利用现有技术制作具有金属栅极的半导体器件结构的剖面结构示意图如下首先，如图IA所示，提供前端器件层结构101，该前端器件层结构101的表面形成有多晶硅栅极102和侧墙103 ；第二，如图IB所示，在前端器件层结构101的表面沉积金属镍以形成自对准硅化物层104 ；第三，如图IC所示，在上述结构的表面沉积层间介电层105， 然后刻蚀掉多晶硅栅极102，形成容纳金属栅极的沟槽106;第四，如图ID所示，沉积金属以形成金属栅极107，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁先捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：