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本发明提供一种半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。其中，制作半导体器件结构的方法包括：a)提供前端器件层结构，其中，前端器件层结构包括衬底，衬底的表面形成有栅氧化层和多晶硅栅极，多晶硅栅极由侧墙环绕，衬底的位于侧墙的外侧的区域中形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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