【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极。
技术介绍
刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、 反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。 刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式，下游式，桶式)，纯物理过程(如离子铣)，物理化学过程， 常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。与其它刻蚀技术相比，ICP刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环径比更大、 装置更小型化且操作简单。同时ICP源...
【技术保护点】
１．一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极，包括用于与刻蚀腔固定连接的导轨器，所述导轨器内安装有可在其内作升降运动的升降器，所述升降器上固定连接有下电极托盘，所述下电极托盘设置在导轨器的上方，其特征在于：所述下电极托盘包括固定连接的顶盘和底盘，所述顶盘的下部开有圆柱形槽，所述圆柱形槽内固定安装有匀气盘，所述匀气盘与顶盘、底盘之间均设有间隙，所述匀气盘的中心设有将气体通向顶盘的第一通孔，所述第一通孔与冷却气入口连通；所述底盘的底部中心开有第二通孔，所述第二通孔与第一通孔隔离设置，所述第二通孔的底端连接有密封管，所述第二通孔与冷却气出口连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄成强，
申请(专利权)人：嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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