【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置。
技术介绍
刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、 反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。 刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式，下游式，桶式)，纯物理过程(如离子铣)，物理化学过程， 常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。与其它刻蚀技术相比，ICP刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环径比更大、 装置更小型化且操作简单。同时ICP源具有至少在直径...
【技术保护点】
１．一种干法刻蚀坚硬无机材料基板的装置，其特征在于：包括主支架和副支架，所述主支架上安装有刻蚀腔和分子泵，所述刻蚀腔与分子泵连接，所述副支架上安装有预真空腔，所述预真空腔与刻蚀腔连接，所述预真空腔内安装有将片盘输送到刻蚀腔的机械手，所述预真空腔与刻蚀腔均与抽真空用的机械泵连接；所述刻蚀腔的下方安装有可带动片盘在刻蚀腔内运动的下电极，所述下电极与ＲＩＥ射频电源连接；所述刻蚀腔和预真空腔上均连接有进气管道，所述进气管道与控制其通气的通气系统连接，所述刻蚀腔的进气口上连接有ＩＣＰ射频电源；所述机械手与下电极分别与带动其运动的伺服电机连接，所述伺服电机均与控制其运动的伺服电机控制器连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，
申请(专利权)人：嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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