本发明专利技术提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法中使用的半导体用粘接膜，所述制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
目前，半导体芯片与半导体芯片搭载用支撑部件的接合主要使用银糊剂。然而，伴随着半导体芯片的小型化、高性能化以及所使用的支撑部件的小型化、精密化，在使用银糊剂的方法中，凸显出由于糊剂的溢出或半导体芯片的偏斜而引起的焊线时产生不便、粘接剂层的膜厚难以控制及粘接剂层产生空隙等问题。另外，在小型化、高密度化要求高的便携设备等领域，正在开发、批量生产内部层叠有多个半导体芯片的半导体装置，但制造这样的半导体装置时，尤其容易凸显出上述问题。因此，近年来已开始使用膜状的粘接剂(以下称为半导体用粘接膜)代替银糊剂。作为使用半导体用粘接膜制造半导体装置的方法，有(1)单片粘贴方式，在带配线基材等半导体芯片搭载用支撑部件或半导体芯片上粘贴裁成任意的尺寸的半导体用粘接膜，在其上热压接半导体芯片；及O)晶片背面粘贴方式，在半导体晶片的背面上粘贴半导体用粘接膜厚后，用旋转刀将其单片化，得到带粘接膜的半导体芯片，将带粘接膜的半导体芯片热压接在半导体芯片搭载用支撑部件或半导体芯片上。近年来，为了谋求半导体装置制造工序的简化，上述O)的晶片背面粘贴方式成为主流。如上所述，在晶片背面粘贴方式中，一般是用旋转刀将粘贴有半导体用粘接膜的半导体晶片切断。但是，当利用使用旋转刀的一般的切割方法同时切断半导体晶片和粘接膜时，存在在切断后的半导体芯片侧面产生裂纹(芯片裂纹)或在切断面上粘接膜起毛而产生许多毛刺这样的问题。如果存在这种芯片裂纹或毛刺，则在拾起半导体芯片时，半导体芯片容易破裂。尤其是难以无破裂地从薄型化的半导体晶片中拾起单片化的半导体芯片。因此，近年来，作为切割半导体晶片的方法，提出了通过对半导体晶片照射激光而在半导体晶片内部选择性地形成改性部，并沿改性部切断半导体晶片的称为隐形切割 (Stealth Dicing)的方法(例如，参照专利文献1、2)。在该方法中，例如，将形成有改性部的半导体晶片粘贴在切割带上，通过拉伸切割带对半导体晶片施加应力，从而沿着改性部将半导体晶片分割为多个半导体芯片。专利文献1 日本特开2002-192370号公报专利文献2 日本特开2003-338467号公报然而，仅用芯片接合机(Die Bonder)装置的扩展结构难以将半导体用粘接膜完全分割，要分割半导体用粘接膜还需要另外的扩展装置。因此，即使是隐形切割方式，为了兼顾半导体装置的制造中的组装性和可靠性，在粘接膜的分割性方面也需要进一步的改善。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供带粘接膜半导体芯片的制造方法及优选用于该带粘接膜半导体芯片的制造方法的半导体用粘接膜、以及可兼顾组装性和可靠性的半导体装置的制造方法，其中，所述带粘接膜半导体芯片的制造方法在由半导体晶片高成品率地得到半导体芯片的同时，可以得到粘贴有毛刺非常少、与半导体芯片大致为同一形状的粘接膜的带粘接膜半导体芯片。为解决上述课题，本专利技术的带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下工序准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有ι 15ym范围的厚度、具有小于5%的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110%，半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。根据本专利技术的带粘接膜半导体芯片的制造方法，通过将隐形切割方式和上述特定的半导体用粘接膜进行组合，利用由拾起导体芯片而得到的剪切力对半导体用粘接膜实施分割，由此，在由半导体晶片高成品率地得到半导体芯片的同时，可以得到粘贴有毛刺非常少、与半导体芯片大致为同一形状的粘接膜的带粘接膜半导体芯片。当半导体用粘接膜的厚度为小于为1 μ m时，就难以制作粘接膜，当超过15 μ m时， 就难以利用半导体芯片的拾起分割半导体用粘接膜。另外，当半导体用粘接膜的拉伸断裂伸长率为5%以上时，需要将切割带的拉伸量增大至通常以上，当拉伸断裂伸长率相对于最大负荷时的伸长率的比例为110%以上时，由于难以在抑制毛刺产生的同时将半导体用粘接膜完全分割，因此难以得到与半导体芯片的形状相吻合的粘接膜。另外，本专利技术的半导体装置的制造方法具备将利用本专利技术的带粘接膜半导体芯片的制造方法所得到的带粘接膜半导体芯片粘接于其它的半导体芯片或半导体搭载用支撑部件上的工序。根据本专利技术的制造方法，通过使用利用本专利技术的带粘接膜半导体芯片的制造方法所得到的带粘接膜半导体芯片，可以兼顾组装性和可靠性。本专利技术还提供一种本专利技术的带粘接膜半导体芯片的制造方法中使用的半导体用粘接膜，其具有1 15 μ m范围的厚度，具有小于5%的拉伸断裂伸长率，且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110%。根据本专利技术，可以提供带粘接膜半导体芯片的制造方法及优选用于该带粘接膜半导体芯片的制造方法的半导体用粘接膜、以及可兼顾组装性和可靠性的半导体装置的制造方法，其中，所述带粘接膜半导体芯片的制造方法在可由半导体晶片高成品率地得到半导体芯片的同时，可以得到粘贴有毛刺非常少、与半导体芯片大致为同一形状的粘接膜的带粘接膜半导体芯片。附图说明图1是用于说明实施方式的带粘接膜半导体芯片的制造方法的剖面示意图。图2是用于说明实施方式的带粘接膜半导体芯片的制造方法的剖面示意图。图3是用于说明实施方式的带粘接膜半导体芯片的制造方法的剖面示意图。图4是用于说明实施方式的带粘接膜半导体芯片的制造方法的剖面示意图。图5是表示半导体装置的一实施方式的剖面图。具体实施例方式下面，对本专利技术的优选的实施方式进行详细说明。图1、2、3、及4是用于说明本专利技术的带粘接膜半导体芯片的制造方法的优选的一实施方式的剖面示意图。本实施方式的带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下工序准备层叠体20的工序(图2)，其将半导体晶片1、本专利技术的半导体用粘接膜5及切割带6以所述顺序层叠；通过将分割带6沿多个半导体芯片8相互分离的方向拉伸，不分割半导体用粘接膜5地将半导体晶片1分割为多个半导体芯片8的工序(图3)；以及通过将多个半导体芯片8分别沿层叠体的层叠方向拾起，由此分割半导体用粘接膜5，从而得到带粘接膜半导体芯片30的工序(图4)。经过这些工序所得的带粘接膜半导体芯片30具有毛刺非常少、与半导体芯片8大致为同一形状的粘接膜fe。图2所示的半导体晶片1具有通过激光的照射而形成的用于将半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部3。对于该改性部3而言，例如可以通过对半导体晶片1与背面研磨带2的层叠体从半导体晶片1的电路面的相反侧照射激光4从而选择性地形成(图1)。 该利用激光的照射的加工可利用在作为所谓隐形切割而已知的方法中通常采用的条件来实施。作为半导体晶片1，除了单晶硅以外，可使用由多晶硅、各种陶瓷、砷化镓等化合物半导体等构成的晶片。作为背面研磨带2，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯系带等。层叠体20可通过以下方法进行准备在形成有改本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种半导体用粘接膜，其具有１～１５μｍ范围的厚度，具有小于５％的拉伸断裂伸长率，且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的１１０％，其用于带粘接膜半导体芯片的制造方法，所述带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带依此顺序层叠，其中，所述半导体用粘接膜具有１～１５μｍ范围的厚度、具有小于５％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的１１０％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将所述切割带沿所述多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将所述多个半导体芯片分别沿所述层叠体的层叠方向拾起，从而分割所述半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：畠山惠一，中村祐树，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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