System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 双腔ALD设备的底部匀气板及双腔ALD设备制造技术_技高网

双腔ALD设备的底部匀气板及双腔ALD设备制造技术

技术编号:40373878 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-20 22:15
本公开涉及双腔ALD设备技术领域,尤其涉及一种双腔ALD设备的底部匀气板及双腔ALD设备。一种双腔ALD设备的底部匀气板,包括板体、进气腔体和出气腔体,进气腔体和出气腔体设置你在板体上,进气腔体包括第一进气腔室和第二进气腔室,第一进气腔室和第二进气腔室设置设置有进气接口和多个反应腔出气孔,多个反应腔出气孔设置在板体靠近反应腔的一面上,进气接口设置在板体与反应腔相背的一面上,第一进气腔室和第二进气腔室的多个反应腔出气孔交替间隔设置;出气腔体设置有抽气接口和多个反应腔抽气孔,多个反应腔抽气孔与多个反应腔出气孔设置在板体的板面两侧。本公开使反应腔室的反应介质在进出过程中更加均匀地分布于腔体内部,使实验结果更加稳定。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及双腔ald设备,尤其涉及一种双腔ald设备的底部匀气板及双腔ald设备。


技术介绍

1、ald(atomic layer deposition)原子层沉积工艺是一种在微纳米尺度上精确控制薄膜厚度和成分的方法,其温度对于沉积过程和薄膜性能具有重要影响。在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子,因此也称为单原子层沉积。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种,化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止,适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。

2、在工艺过程中两种气相前驱体在腔内的均匀扩散需借助匀气板才能使其实验结果达到更高的均匀性,但现有的匀气板只有单独的进气孔,两种气体先后或同时进入到反应腔内的均匀性差。


技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

2、为此,在本公开的第一方面提供了一种双腔ald设备的底部匀气板,包括板体、进气腔体和出气腔体,所述进气腔体和所述出气腔体设置你在所述板体上,其中,

3、所述进气腔体包括第一进气腔室和第二进气腔室,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室设置设置有进气接口和多个反应腔出气孔,多个所述反应腔出气孔设置在所述板体靠近反应腔的一面上,所述进气接口设置在所述板体与所述反应腔相背的一面上,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的多个所述反应腔出气孔交替间隔设置;

4、所述出气腔体设置有抽气接口和多个反应腔抽气孔,多个所述反应腔抽气孔与多个反应腔出气孔设置在所述板体的板面两侧。

5、在一种可行的实施方式中,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室具有波浪形面,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的所述波浪形面相对设置且吻合。

6、在一种可行的实施方式中,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室设置为弧形。

7、在一种可行的实施方式中,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的多个反应腔出气孔设置在同一弧线上。

8、在一种可行的实施方式中,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的所述反应腔出气孔均设置有五个。

9、在一种可行的实施方式中,所述反应腔抽气孔的设置数量与所述反应腔出气孔的数量相同,且所述反应腔抽气孔与所述反应腔出气孔的位置相对设置。

10、在一种可行的实施方式中,所述进气接口与所述抽气接口设置在同一板面上,且所述抽气接口设置在所述出气腔体的中心位置。

11、在一种可行的实施方式中,所述进气腔体和所述出气腔体的内壁为弧形。

12、在一种可行的实施方式中,其特征在于,所述板体与双腔ald设备的底部可拆卸连接。

13、在本公开的第二方面提供了一种双腔ald设备,包括上述的双腔ald设备的底部匀气板。

14、相比现有技术,本公开至少包括以下有益效果:本公开在匀气板的板体上设置进气腔体和出气腔体,其中进气腔体包括第一进气腔室和第二进气腔室,第一进气腔室和第二进气腔室均设置有单独的进气接口与待注入介质连接,在第一进气腔室和第二进气腔室靠近反应腔的一面上设置多个反应腔出气孔用于向反应腔室注入反应介质,而第一进气腔室和第二进气腔室的多个反应腔出气孔交替间隔设置,使得两种注入反应介质注入是能够均匀;本公开的出气腔体设置有抽气接口和多个反应腔抽气孔,多个反应腔抽气孔与多个反应腔出气孔设置在所述板体的板面两侧,多个反应腔抽气孔最终汇总到一个总的抽气接口,使得多个反应腔出气孔注入的反应介质进一步均匀,极大的提高了反应腔室注入介质的均匀性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,包括板体、进气腔体和出气腔体,所述进气腔体和所述出气腔体设置你在所述板体上,其中,

2.根据权利要求1所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室具有波浪形面,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的所述波浪形面相对设置且吻合。

3.根据权利要求2所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室设置为弧形。

4.根据权利要求1所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的多个反应腔出气孔设置在同一弧线上。

5.根据权利要求1所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的所述反应腔出气孔均设置有五个。

6.根据权利要求1所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述反应腔抽气孔的设置数量与所述反应腔出气孔的数量相同,且所述反应腔抽气孔与所述反应腔出气孔的位置相对设置。

7.根据权利要求1所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述进气接口与所述抽气接口设置在同一板面上,且所述抽气接口设置在所述出气腔体的中心位置。

8.根据权利要求1所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述进气腔体和所述出气腔体的内壁为弧形。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的双腔ALD设备的底部匀气板,其特征在于,所述板体与双腔ALD设备的底部可拆卸连接。

10.一种双腔ALD设备,其特征在于,包括上述权利要求1至9任一项所述的双腔ALD设备的底部匀气板。

...

【技术特征摘要】

1.一种双腔ald设备的底部匀气板,其特征在于,包括板体、进气腔体和出气腔体,所述进气腔体和所述出气腔体设置你在所述板体上,其中,

2.根据权利要求1所述的双腔ald设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室具有波浪形面,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的所述波浪形面相对设置且吻合。

3.根据权利要求2所述的双腔ald设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室设置为弧形。

4.根据权利要求1所述的双腔ald设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的多个反应腔出气孔设置在同一弧线上。

5.根据权利要求1所述的双腔ald设备的底部匀气板,其特征在于,所述第一进气腔室和所述第二进气腔室的所述反应腔出气孔均设...

【专利技术属性】
技术研发人员:闻梦瑶明帅强李明王浙加李国庆戴昕童车睿远张亦哲
申请(专利权)人:嘉兴科民电子设备技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1