用于产生纳米颗粒的低压高频脉冲等离子体反应器制造技术

技术编号:7146811 阅读:327 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种用于合成纳米颗粒的低压甚高频脉冲等离子体反应器系统。该系统包括腔室,该腔室用于接纳至少一个基板,并且能够被抽真空至所选压强。该系统还包括用于从至少一种前驱体气体产生等离子体的等离子体源,以及用于以所选频率提供连续或脉冲射频功率至等离子体的甚高频射频功率源。该频率是基于脉冲射频功率和等离子体之间的耦合效率来选择的。VHF放电和气体前驱体的参数是基于纳米颗粒性质来选择的。纳米颗粒平均大小和颗粒大小分布是通过控制辉光放电的驻留时间(脉冲调制等离子体)相对于通过放电区的气体分子驻留时间、以及纳米颗粒前驱体气体(一种或多种)的质量流量来操控的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及低压等离子体反应器,更具体地涉及在低压等离子体反应器中 产生纳米颗粒的方法。
技术介绍
纳米技术的出现在很多
产生根本性的变化,这是因为在纳米级尺度,许 多材料的性质发生改变。例如,一些结构的尺寸降低至纳米级可以增大表面积与体积之比, 从而使材料的电、磁、活性、化学、结构以及热的性质发生改变。纳米材料已经找到商业应 用,并且可能在接下来的几十年中存在于计算机、光伏、光电子、药物/制药、结构材料、军 事应用等所有事物中。初期的研究努力集中在多孔硅上,但是很多兴趣和努力已经从多孔硅转移到了硅 纳米颗粒。小硅纳米颗粒(< 5nm)的一个主要特征是这些颗粒在被较低波长源(UV)激励 时能够进行可见的光致发光。这被认为是由在纳米颗粒的直径小于激子半径时发生的量 子限制效应导致的,其引起带隙弯曲(即,间隙的增加)。图IA示出了纳米颗粒的带隙能 量(单位为电子伏特)与纳米颗粒的直径(单位为纳米)的函数关系(见T. Takagahara 和K. Takeda, Phys. Rev. B, 46,15578 (1992))。尽管硅在体材料情况下是间接带隙半导体, 但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压高频脉冲等离子体反应器系统,包括:流量控制器,用于控制至少一种前驱体气体的流量;腔室,被配置为接纳至少一个基板,并且能够被抽真空至所选压强;等离子体源,用于从所述至少一种前驱体气体生成等离子体;以及甚高频射频功率源,用于以基于脉冲射频功率源和等离子体之间的耦合效率选择的射频向等离子体提供脉冲射频功率,其中所述射频功率的至少一个参数能够基于通过向等离子体提供脉冲射频功率而形成的纳米颗粒的至少一个性质而被选择。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·A·凯西
申请(专利权)人:陶氏康宁公司
类型:发明
国别省市:US

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1