【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体刻蚀工艺，特别涉及一种。
技术介绍
集成电路制造工艺是一种平面制作工艺，其结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入等多种工艺，在同一衬底表面形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接已具有完整的电子功能。随着集成电路的器件的特征尺寸不断地缩小，集成度不断地提高，对各步工艺的监控及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。刻蚀工艺是集成电路制造工艺中最复杂的工序之一。精确监控刻蚀工艺的刻蚀终点显得尤为重要。在专利号为US5658423的美国专利中提供一种通过光学发射光谱法 (OES)判断等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点监控方法。采用OES判断等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点监控方法包括确定所检测的元素，所述元素为所要刻蚀的膜层的成分；采集所述元素的光强度，所述光强度与所述元素的浓度相关；随着刻蚀工艺的进行，在刻蚀终点，膜层物质被刻蚀完毕，所述元素在刻蚀腔的浓度减小，反应室内检测到的所述元素的光强度开始减小，此时，即为刻蚀终点。但是，在实际刻蚀工艺中发现，现有的判断等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点的监控方法不能准确地监控等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点。
技术实现思路
本专利技术解决的问...
【技术保护点】
１．一种刻蚀终点动态检测方法，其特征在于，包括：获取从刻蚀开始至刻蚀完成的实时光信号的强度，其中，从刻蚀开始至刻蚀完成包括延迟时间段、稳定刻蚀时间段和刻蚀终点判断时间段，所述特定波长光信号的强度与刻蚀腔体内的特定刻蚀气体活性组分浓度或产物浓度对应；提供预设的延迟时间段参考阈值；搜索延迟时间段内的实时光信号强度的拐点，若在所述延迟时间段内搜索到拐点，则进入稳定刻蚀时间段，若在所述预设的延迟时间段内无拐点，则在到达参考阈值后进入稳定刻蚀时间段。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王兆祥，黄智林，李俊良，杜若昕，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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