【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多晶片室中等离子体处理性能匹配的方法和设备相关申请本申请要求了提交于2008年2月14日的美国临时专利申请序列号61/0 ，899 和提交于2009年2月6日的美国专利申请号12/367，488的优先权，通过引用将这两个专利申请的内容合并于此。
技术介绍
仅使用单个气体供应和单个真空泵在单个等离子体处理室中一次处理两个(或更多)晶片是一种在减小系统尺寸和每个经处理得到的晶片的成本方面已取得成功的方法。众所周知，该单个气体供应为使用中的每种不同类型的气体提供适当的调节器机构或者在使用预混合气体的情况下提供单个调节器机构。目前，这正是共享公共气体供应线来执行诸如蚀刻和淀积的处理的现有技术双隔间或双头室中的情况。图1示意性地图示了这样的系统，其总体上用标号100表示。在这种可以在具有单个气体供应控制器的室中同时处理多个晶片的系统中，仅处理一个晶片与同时处理两个或更多晶片时相比，观察到等离子体介入式处理的处理性能(比如蚀刻速率或淀积速率)通常存在差异。在多站处理室中有无效头的情况下处理单个晶片经常发生在半导体的大规模生产中(因为通常一满盒晶片或一批晶片具有奇数个晶片)，导致...
【技术保护点】
１．在具有包括至少两个处理站的单个室以便通过在每个站处设置一个工件来同时处理两个或更多工件的多站工件处理系统中，一种用于在所述处理站中的一个有效处理站处处理至少一个工件的方法，其中所述处理站中的至少一个其它处理站无效，每个所述处理站包括等离子体发生器，所述等离子体发生器接收处理站气体供应用于生成等离子体以处理该处理站处的具体工件，且其中在所述处理站中的给定处理站处的等离子体发生器中被释放的、所述处理站气体供应的至少一部分能够作为横流通过室装置流到所述处理站中的至少一个其它处理站，而不管所述给定处理站是有效的还是无效的，所述系统还被配置用于产生满工作负荷气流，当所有所述处理站...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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