一种多站工件处理系统针对每种气体使用单个气流调节器向多个有效处理站中的每个有效处理站提供经调节的输入处理气流的目标均等份额，而不管无效处理站的数目如何。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多晶片室中等离子体处理性能匹配的方法和设备相关申请本申请要求了提交于2008年2月14日的美国临时专利申请序列号61/0 ，899 和提交于2009年2月6日的美国专利申请号12/367，488的优先权，通过引用将这两个专利申请的内容合并于此。
技术介绍
仅使用单个气体供应和单个真空泵在单个等离子体处理室中一次处理两个(或更多)晶片是一种在减小系统尺寸和每个经处理得到的晶片的成本方面已取得成功的方法。众所周知，该单个气体供应为使用中的每种不同类型的气体提供适当的调节器机构或者在使用预混合气体的情况下提供单个调节器机构。目前，这正是共享公共气体供应线来执行诸如蚀刻和淀积的处理的现有技术双隔间或双头室中的情况。图1示意性地图示了这样的系统，其总体上用标号100表示。在这种可以在具有单个气体供应控制器的室中同时处理多个晶片的系统中，仅处理一个晶片与同时处理两个或更多晶片时相比，观察到等离子体介入式处理的处理性能(比如蚀刻速率或淀积速率)通常存在差异。在多站处理室中有无效头的情况下处理单个晶片经常发生在半导体的大规模生产中(因为通常一满盒晶片或一批晶片具有奇数个晶片)，导致需要每盒至少一次地处理单个晶片。在一次处理单个晶片与同时处理两个晶片时相比蚀刻速率不同的该示例情况下，其结果无论在二者中的哪一种情况下对于正确的电路功能而言都可能是不可接受的，从而导致IC产量降低。申请人认识到需要解决该问题以便在生产过程中对每个晶片提供一致的等离子体处理性能。相关技术及其相关局限的上述例子旨在是说明性的而不是排他性的。本领域的普通技术人员在阅读了说明书和研究了附图后将容易明白相关技术的其它局限。
技术实现思路
结合意在是示例性和说明性的而不对范围构成限制的系统、工具和方法来描述和说明以下实施例及其各方面。在各种实施例中，上述问题中的一个或多个已得到减轻或消除，而其它实施例旨在实现其它改进。通常，多站工件处理系统包括具有至少两个处理站的单个室以便通过在每个站处设置一个工件来同时处理两个或更多工件。在处理站中的一个有效处理站处处理至少一个工件，其中处理站中的至少一个其它处理站无效。每个处理站包括等离子体发生器，等离子体发生器接收处理站气体供应用于生成等离子体以处理该处理站处的具体工件。在本公开的一方面中，在处理站中的给定处理站处的等离子体发生器中被释放的、处理站气体供应的至少一部分能够作为横流通过室装置流到处理站中的至少一个其它处理站，而不管该给定处理站是有效的还是无效的。该系统被配置用于产生满工作负荷气流，当所有处理站都是有效的时，满工作负荷气流从总气体输入端被分配给所有处理站以为每个处理站的等离子体发生器产生处理站气体供应，使得每个处理站至少近似地接收满工作负荷气流的目标均等份额作为处理站气体供应。选择少于总数的处理站作为有效处理站，使得至少一个处理站被选择用来有效地处理工件，而处理站中的至少一个其它处理站是无效的且不处理工件。终止对每个无效处理站的气体供应。对应于每个无效处理站，将满工作负荷气流减小近似等于满工作负荷气流与处理站总数之商的量以在总气体输入端产生当前气流，当前气流在有效处理站之间分配，使得每个有效处理站至少近似地接收当前气流的目标均等份额而不管无效处理站如何，并且从处理站中的无效处理站到处理站中的有效处理站的横流被消除，使得本来会因为在无效处理站处发起处理站气体供应而产生的、有效处理站处的横流相关处理影响被消除。在本公开的另一方面中，在处理站中的给定处理站处被释放的、处理站气体供应的至少一部分能够作为横流通过室装置流到处理站中的至少一个其它处理站，而不管该给定处理站是有效的还是无效的。该系统被配置用于产生满工作负荷气流，当所有处理站都是有效的时，满工作负荷气流从总气体输入端被分配给所有处理站，使得每个处理站至少近似地接收满工作负荷气流的目标均等份额。一种构成该系统的一部分的设备用于在处理站中的一个有效处理站处处理至少一个工件，其中处理站中的至少一个其它处理站无效。 该设备包括用户输入装置，用户输入装置用于允许系统操作员电子地选择少于总数的处理站作为有效处理站，使得至少一个处理站被选择用来有效地处理工件，而处理站中的至少一个其它处理站是无效的且不处理工件。一种控制装置响应于用户输入装置而生成至少一个控制信号以电子地终止对每个无效处理站的处理站气体供应，并对应于每个无效处理站将满工作负荷气流减小近似等于满工作负荷气流与处理站总数之商的量以在总气体输入端产生当前气流，当前气流在有效处理站之间分配，使得每一个有效处理站至少近似地接收当前气流的目标均等份额而不管无效处理站如何，并且从处理站中的无效处理站到处理站中的有效处理站的横流被消除，使得本来会因为在无效处理站处发起处理站气体供应而产生的、有效处理站处的横流相关处理影响被消除。在本公开的又一方面中，该系统被配置用于产生满工作负荷气流，当所有处理站都是有效的时，满工作负荷气流被调节然后从总气体输入端被分配给所有处理站以为每个处理站的等离子体发生器产生处理站气体供应，使得对每个单独处理站的处理站气体供应不被调节，且每个处理站至少近似地接收满工作负荷气流的目标均等份额作为处理站气体供应。选择少于总数的处理站作为有效处理站，使得至少一个处理站被选择用来有效地处理工件，而处理站中的至少一个其它处理站是无效的且不产生等离子体，以致每个无效处理站相对于有效处理站会产生气体传导性差异，这会在处理站之间不均勻地划分满工作负荷气流。终止对无效处理站的气体供应。对应于每个无效处理站，将满工作负荷气流减小近似等于满工作负荷气流与处理站总数之商的量以在总气体输入端产生当前气流，无需针对每个处理站单独地调节每个处理站气流而在有效处理站之间分配当前气流，使得每个有效处理站通过消除本来会由每个无效处理站产生的气体传导性差异来至少近似地接收当前气流的目标均等份额。在本专利技术的再一方面中，该系统被配置用于产生满工作负荷气流，当当所有处理站都是有效的时，满工作负荷气流被调节然后从总气体输入端被分配给所有处理站以为每个处理站的等离子体发生器产生处理站气体供应，使得对每个单独处理站的处理站气体供应不被调节，且每个处理站至少近似地接收满工作负荷气流的目标均等份额。一种控制装置被配置用于电子地选择少于总数的处理站作为有效处理站，其中至少一个处理站被选择6用于有效地处理工件，而处理站中的至少一个其它处理站是无效的且不产生等离子体，以致每个无效处理站相对于每个有效处理站会产生气体传导性差异，这会在处理站之间不均勻地划分满工作负荷气流；并且用于生成至少一个控制信号以电子地终止对每个无效处理站的处理站气体供应。该控制装置还被配置用于对应于每个无效处理站将满工作负荷气流减小近似等于满工作负荷气流与处理站总数之商的量以在总气体输入端产生当前气流，无需针对每个处理站单独地调节每个处理站气流而在有效处理站之间分配当前气流，使得每个有效处理站通过消除本来会由每个无效处理站产生的气体传导性差异来至少近似地接收当前气流的目标均等份额而不管无效处理站如何。除了上面描述的示例性方面和实施例以外，通过参照附图和研究以下描述将容易明白更多的方面和实施例。附图说明在所参照的附图中图示了示例性实施例，这里公开的实施例和附图意在是说明性的本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．在具有包括至少两个处理站的单个室以便通过在每个站处设置一个工件来同时处理两个或更多工件的多站工件处理系统中，一种用于在所述处理站中的一个有效处理站处处理至少一个工件的方法，其中所述处理站中的至少一个其它处理站无效，每个所述处理站包括等离子体发生器，所述等离子体发生器接收处理站气体供应用于生成等离子体以处理该处理站处的具体工件，且其中在所述处理站中的给定处理站处的等离子体发生器中被释放的、所述处理站气体供应的至少一部分能够作为横流通过室装置流到所述处理站中的至少一个其它处理站，而不管所述给定处理站是有效的还是无效的，所述系统还被配置用于产生满工作负荷气流，当所有所述处理站都是有效的时，所述满工作负荷气流从总气体输入端被分配给所有所述处理站以为每个处理站的等离子体发生器产生所述处理站气体供应，使得每个处理站至少近似地接收所述满工作负荷气流的目标均等份额作为所述处理站气体供应，所述方法包括：选择少于所述总数的处理站作为有效处理站，使得至少一个处理站被选择用来有效地处理工件，而所述处理站中的至少一个其它处理站是无效的且不处理工件；终止对所述无效处理站的气体供应；对应于每个无效处理站，将所述满工作负荷气流减小近似等于所述满工作负荷气流与处理站总数之商的量以在所述总气体输入端产生当前气流，所述当前气流在所述有效处理站之间分配，使得每个有效处理站至少近似地接收所述当前气流的所述目标均等份额而不管所述无效处理站如何，并且从所述处理站中的无效处理站到所述处理站中的有效处理站的所述横流被消除，使得本来会因为在所述无效处理站处发起所述处理站气体供应而产生的、所述有效处理站处的横流相关处理影响被消除，这消除了对每个处理站采用单独的流量控制器组的需要。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐松林，
申请(专利权)人：马特森技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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