【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
像物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)那样的溅射沉积 (sputtering depositon)是将多种材料的高度均勻薄层沉积在许多物体上(例如，将金属 层沉积在像用在形成集成电路(IC)中的圆片(wafer)那样的基板上)的过程。在直流(DC) 溅射过程中，将要沉积的材料(靶(target))和接受沉积材料的基板(圆片)放置在特殊 真空室中。真空室被抽成真空，并且随后像氩气那样的惰性气体以低压充入其中。圆片与高压电源的阳极(或邻近)电连接，该阳极一般处在地电位上或接近地电 位。使溅射室的侧壁也处在这个电位上。通常由金属形成的靶被放置在真空室中，并且与 高压电源的阴极电连接。可替代地，该靶可以由绝缘材料形成。该电源在靶(阴极)与阳 极之间形成电场。当阳极与阴极之间的电位达到200-400伏时，在惰性气体中，在众所周知 的帕邢(Paschen)曲线的超导区中产生辉光放电。当辉光放电发生在帕邢曲线的超导区中时，价电子从气体中拉出来，流向阳极 (地)，而由此产生的带正电电离气体原子(即等离子体)受到电场的电位加速，以足够的...
【技术保护点】
１．一种在等离子体处理室中检测圆片级电弧的方法，所述方法包含：监测供应给所述等离子体处理室的信号的波形；检测所述波形中的特征；响应所述特征检测，确定所述波形在所述特征之后是否达到稳定；响应所述波形稳定，确定所述特征是双向波形异常的一部分还是单向波形过渡；以及将所述特征是双向波形异常的一部分的指示或所述特征是单向波形过渡的指示记录到计算机可读媒体中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾伦F克劳斯，
申请(专利权)人：施耐德电气美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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