【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种栅极侧墙刻蚀方法、采用了该栅极侧墙刻蚀方法的MOS器件制造方法、以及由该MOS器件制造方法制成的MOS器件。
技术介绍
热载流子效应是MOS (金属-氧化物-半导体)器件的一个重要的失效机理，随着 MOS器件尺寸的日益缩小，器件的热载流子注入效应越来越严重。以PMOS器件为例，沟道中的空穴，在漏源之间高横向电场的作用下被加速，形成高能载流子，高能载流子与硅晶格碰撞，产生电离的电子空穴对，电子由衬底收集，形成衬底电流，大部分碰撞产生的空穴，流向漏极，但还有部分空穴，在纵向电场的作用下，注入到栅极中形成栅极电流，这种现象称为热载流子注入(Hot Carrier Injection)。热载流子会造成硅衬底与二氧化硅栅氧界面处能键的断裂，在硅衬底与二氧化硅栅氧界面处产生界面态，导致器件性能，如阈值电压、跨导以及线性区/饱和区电流的退化，最终造成MOS器件失效。器件失效通常首先发生在漏端，这是由于载流子通过整个沟道的电场加速，在到达漏端后，载流子的能量达到最大值，因此漏端的热载流子注入现象比较严重。
技术实现思路
本...
【技术保护点】
１．一种栅极侧墙刻蚀方法，其特征在于包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，用于利用所述光刻胶对露出的栅极的所述另一侧壁进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；以及第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除所述光刻胶之后对栅极两侧的侧壁进行刻蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：俞柳江，毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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