在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气ＳＡＣＶＤ方法技术

本发明专利技术描述了一种形成和去除氧化物牺牲层的方法。该方法包括在基板上形成阶梯，其中该阶梯具有顶部和侧壁。该方法也可包括通过分子氧和四乙氧基硅烷（ＴＥＯＳ）的化学气相沉积而在阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物层形成在该阶梯的顶部和侧壁上。该方法也可包括：去除该氧化物层和该阶梯的顶部部分；去除该基板通过去除该阶梯而暴露出的部分，以形成蚀刻基板；以及从该蚀刻基板中去除整个该氧化物牺牲层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气SACVD方法本申请要求根据35USC 119(e)的规定以2007年6月15日提交的专利技术名称为“在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气SACVD方法”(OxygenSACVD To Form Sacrifical Oxide Liners In Substrate Gaps)的美国暂时申请No. 60/944，303为其优先权，其全文内容在此引入以供参考。
技术介绍
随着半导体集成电路芯片的组件密度和功能性持续增加，需要新的解决方案来形成甚至更小尺寸(scale)的这些组件。惯用的光刻技术(photolithography)已成功地用于形成小至65nm尺寸的组件图案。不过，随着规模更进一步的缩小(例如，次45nm尺寸)， 因物理限制对光刻技术的分辨率构成挑战。光刻(lithography)系统的分辨率可由雷利方程式(Rayleigh Equation) 来描述，其中Ic1为比系常数，对于单一暴露其具有0.25的限制值、λ为所用光的波长、及NA为所用透镜的数值孔径(numerical aperture)。这些变量各自影响光刻图案化技术的光学分辨率。举例本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种形成和去除氧化物牺牲层的方法，该方法包括：在基板上形成阶梯（ｓｔｅｐ），其中该阶梯具有顶部和侧壁；通过分子氧和含硅前驱物的化学气相沉积在该阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物牺牲层形成在该阶梯的顶部和侧壁上；去除该氧化物牺牲层和该阶梯的顶部部分，同时留下该氧化物牺牲层的剩余部分，该剩余部分包括至少部分上述侧壁；去除通过去除该阶梯而暴露出的该基板的部分，以形成蚀刻基板；以及从该蚀刻基板中去除该氧化物牺牲层的该剩余部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑义，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US