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本发明描述了一种形成和去除氧化物牺牲层的方法。该方法包括在基板上形成阶梯，其中该阶梯具有顶部和侧壁。该方法也可包括通过分子氧和四乙氧基硅烷（ＴＥＯＳ）的化学气相沉积而在阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物层形成在该阶梯的顶部和侧壁上。该...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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