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提供了一种栅极侧墙刻蚀方法、MOS器件制造方法以及MOS器件。栅极侧墙刻蚀方法包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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