一种发光装置，其包括：由外部供给电力的电路基板；发光二极管，其电连接在电路基板上，并且通过来自电路基板的电力来发光；壳体，其以包围发光二极管的方式设置在电路基板上，并且其上端部配置在比发光二极管的上端部更上侧；粘接剂层，其在壳体上沿壳体的整个周向设置，并且从内周缘到外周缘的长度主要为0.3mm以上，厚度为200μm以下；以及荧光体陶瓷，其借助于粘接剂层粘接在壳体上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括发光二极管的发光装置。
技术介绍
迄今，已知有如下的白色发光二极管用接受蓝色光而发出黄色光的YAG系荧光体被覆蓝色发光二极管，将来自蓝色发光二极管的蓝色光与YAG系荧光体的黄色光混色来得到白色光。例如，提出了一种发光装置，其包括接合有LED元件的基板、以包围LED元件的方式接合在基板上的圆筒状的模框、借助于固定材料(低熔点玻璃等粘接剂)载置在模框上端的荧光体陶瓷片(例如参照日本特开2010-27704号公报)。在这种发光装置中，在荧光体陶瓷片接受来自LED元件的光而发光时，荧光体陶瓷片发热。
技术实现思路
然而，在上述日本特开2010-27704号公报中，由于荧光体陶瓷片发热，存在荧光体陶瓷片的发光效率降低的不利情况。因此，本专利技术的目的在于提供可以提高荧光体陶瓷的散热性、且可以抑制荧光体陶瓷的发光效率降低的发光装置。本专利技术的发光装置的特征在于，其包括由外部供给电力的电路基板；发光二极管，其电连接在所述电路基板上，并且通过来自所述电路基板的电力来发光；壳体 (housing)，其以包围所述发光二极管的方式设置在所述电路基板上，并且其上端部配置在比所述发光二极管的上端部更上侧；粘接剂层，其在所述壳体上沿所述壳体的整个周向设置，并且从内周缘到外周缘的长度主要为0. 3mm以上，厚度为200 μ m以下；以及荧光体陶瓷，其借助于所述粘接剂层粘接在所述壳体上。根据本专利技术的发光装置，荧光体陶瓷借助于从内周缘到外周缘的长度为0. 3mm以上、厚度为200 μ m以下的粘接剂层粘接在壳体上。因此，可以将来自荧光体陶瓷的热有效地传给壳体，可以借助于壳体来散热。结果，可以提高荧光体陶瓷的散热性，且可以抑制荧光体陶瓷的发光效率降低。附图说明图1为示出本专利技术的发光装置的一个实施方式的剖面图。图2为图1所示的发光装置的A-A剖面图。具体实施例方式图1为示出本专利技术的发光装置的一个实施方式的剖面图。图2为图1中所示的发光装置A-A剖面图。如图1和图2所示，发光装置1包括电路基板2、发光二极管3、壳体4、粘接剂层5 和作为荧光体陶瓷的一个例子的荧光体陶瓷片6。电路基板2包括基底基板7和形成在基底基板7的上表面的布线图案8。具体而言，电路基板2将来自外部的电力供给布线图案8。基底基板7形成为俯视大致矩形平板状，由例如铝等金属、例如氧化铝等陶瓷、例如聚酰亚胺树脂等形成。基底基板7的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为10W/m · K以上。此外，在由金属形成了基底基板7时，为了防止基底基板7与布线图案8发生短路，在基底基板7与布线图案8之间设置绝缘层。在这里，即使在绝缘层的导热系数低的情况下(例如5W/m · K以下)，如果基底基板7的导热系数在上述范围内，则也能有效地将来自荧光体陶瓷片6的热传给壳体4。另外，相对于来自发光二极管3的光，至少在载置发光二极管3的区域(被壳体4 包围的区域)将基底基板7的反射率设定为例如70%以上、优选90%以上、更优选95%以上。此外，在载置发光二极管3的区域(被壳体4包围的区域)，在基底基板7的表面施涂例如分散有白色填料的树脂涂料，可以实现反射率的进一步提高。布线图案8将发光二极管3的端子与用于向发光二极管3供给电力的电源(未图示)的端子(未图示)电连接。布线图案8例如由铜、铁等导体材料形成。布线图案8的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为10W/m · K以上。另外，相对于来自发光二极管3的光，至少在载置发光二极管3的区域(被壳体4 包围的区域)将布线图案8的反射率设定为例如70%以上、优选90%以上、更优选95%以上。发光二极管3具体为蓝色发光二极管，其设置在基底基板7上。各发光二极管3 经由引线9与布线图案8电连接(引线接合)。发光二极管3通过来自电路基板2的电力来发光。壳体4从基底基板7的上表面向上方设立，使得其上端部配置在比发光二极管3 的上端部更上侧，在俯视下，形成为包围发光二极管3的框状。另外，壳体4形成为从下方到上方开口截面积扩大的截面楔形。壳体4由例如氧化铝、氧化锆、氧化钇等氧化物陶瓷材料、例如氮化铝等氮化物陶瓷材料、例如Cu系原料(例如Cu-Fe-P等)、！^e系原料(例如i^-42% Ni等)等金属材料等材料形成。壳体4优选由陶瓷材料形成，更优选由氧化铝形成。如果壳体4由上述材料形成，则可以实现提高导热系数，同时可以实现提高反射率。另外，在由金属材料形成壳体4时，例如可以施涂分散有白色填料的树脂涂料来实现反射率的进一步提高。壳体4的导热系数例如为5W/m · K以上，优选为15W/m · K以上，更优选为IOOW/ m · K以上。对于壳体4的反射率，将对来自发光二极管3的光的反射率设定为例如70%以上、 优选90%以上、更优选95%以上。4另外，壳体4以使其上端面的从内周缘到外周缘的长度为例如0. 3mm以上、优选 Imm以上、且通常5mm以下的方式形成。另外，在壳体4的上端面，如果确保上述的长度，则还能形成可嵌合荧光体陶瓷片 6的高低差。此外，壳体4也可以预先与电路基板2 —体化形成为带有壳体的电路基板。作为带有壳体的电路基板，市售产品可以得到，例如可列举出带有空腔的多层陶瓷基板(产品编号207806, Sumitomo Metal(SMI)Electronics Devices Inc.制造)等。另外，在壳体4中，根据需要，填满例如有机硅树脂、环氧树脂、它们的混合树脂等、优选有机硅树脂来作为密封材料。在壳体4内被密封材料填满时，可以降低由总反射导致的来自发光二极管3的发光光的约束。粘接剂层5由对荧光体陶瓷片6和壳体4这二者具有充分的粘接力、至少在发光装置1的驱动时对荧光体陶瓷片6或壳体4的温度具有足够的耐热性的材料构成，在壳体 4的上端面沿壳体4的整个周向设置。作为形成粘接剂层5的粘接剂，例如可列举出由环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸类树脂等构成的粘接剂。粘接剂层5以使其从内周缘到外周缘的长度(涂粘接剂部分宽度)为例如0. 3mm 以上、优选0. 3 5mm、更优选0. 3 2mm的方式形成。此外，粘接剂层5的涂粘接剂部分宽度在粘接剂层5的周向长度(内周基准)的例如80%以上、优选90%以上是在上述范围内的。另外，如果粘接剂层5的涂粘接剂部分宽度在上述范围内，则可以将来自荧光体陶瓷片6的热经由粘接剂层5有效地传给壳体4，借助于壳体4来散热。粘接剂层5的厚度例如为200 μ m以下，优选为100 μ m以下，更优选为50 μ m以下， 且通常为5μπ 以上。如果粘接剂层5的厚度在上述范围内，则可以将来自荧光体陶瓷片6的热经由粘接剂层5有效地传给壳体4，借助于壳体4来散热。另外，可以抑制来自边缘部分的水分、硫等杂质混入。另外，可以抑制发光光从粘接剂层5泄漏。此外，在粘接剂层5中，根据需要，在不损害粘接性的程度下，还可以添加例如氧化铝、氧化钛、氧化锆、钛酸钡、碳、银等填料。如果在粘接剂层5中添加填料，则可以提高粘接剂层5的导热性。粘接剂层5的导热系数例如为0. lff/m · K以上，优选为0. 2ff/m · K以上，更优选为 1. Off/m · K 以上。荧光体陶瓷片6借助于粘接剂层5以封闭被壳体4包围的区域的方式粘接在壳体 4上。荧光体本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种发光装置，其特征在于，其包括：由外部供给电力的电路基板；发光二极管，其电连接在所述电路基板上，并且通过来自所述电路基板的电力来发光；壳体，其以包围所述发光二极管的方式设置在所述电路基板上，并且其上端部配置在比所述发光二极管的上端部更上侧；粘接剂层，其在所述壳体上沿所述壳体的整个周向设置，并且从内周缘到外周缘的长度主要为０．３ｍｍ以上，厚度为２００μｍ以下；以及荧光体陶瓷，其借助于所述粘接剂层粘接在所述壳体上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：大薮恭也，中村年孝，藤井宏中，伊藤久贵，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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