透明导电膜和透明导电膜层叠体及其制造方法、以及硅系薄膜太阳能电池技术

本发明专利技术提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时有用的、耐氢还原性优异、光封闭效果优异的透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体及其制造方法，将该透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体作为电极使用的硅系薄膜太阳能电池。本发明专利技术提供透明导电膜等，该透明导电膜的特征在于，以氧化锌为主成分，且含有选自铝和镓中的1种以上的添加金属元素，其含量在下述式(1)所示的范围内，并且表面粗糙度(Ra)为35.0nm以上，表面电阻为65Ω/□以下。-[Al]+0.30≤[Ga]≤-2.68×[Al]+1.74...(1)(其中，[Al]是由Al/(Zn+Al)的原子数比(％)表示的铝含量，另一方面，[Ga]是由Ga/(Zn+Ga)的原子数比(％)表示的镓含量)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及透明导电膜和透明导电膜层叠体及其制造方法、以及硅系薄膜太阳能电池，更详细而言，涉及在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时有用的、耐氢还原性优异、 光封闭效果(optical confinement effect)也优异的透明导电膜和使用其的透明导电膜层叠体及其制造方法，将该透明导电膜或透明导电膜层叠体作为电极使用的硅系薄膜太阳能电池。
技术介绍
具有高导电性和可见光区域中的高透射率的透明导电膜已用于太阳能电池、液晶显示元件、其它各种受光元件的电极等，此外，还作为汽车车窗或建筑用的热线反射膜、防静电膜、冷冻陈列柜等各种防雾用的透明发热体来利用。在透明导电膜中，已知有氧化锡(SnO2)系、氧化锌(SiO)系、氧化铟(In2O3)系的薄膜。在氧化锡系中，可利用含有锑作为掺杂物的透明导电膜(ΑΤΟ)、含有氟作为掺杂物的透明导电膜(FTO)。在氧化锌系中，可利用含有铝作为掺杂物的透明导电膜(AZO)、含有镓作为掺杂物的透明导电膜(GZO)。最工业化地利用的透明导电膜是氧化铟系，其中含有锡作为掺杂物的氧化铟被称为ITOandium-Tin-Oxide)膜，由于特别容易得到低电阻的膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
ｌ］＋１．７４．．．（１）其中，［Ａｌ］是由Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）的原子数比表示的铝含量，另一方面，［Ｇａ］是由Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）的原子数比表示的镓含量，所述原子数比以百分比表示。１．一种透明导电膜，其特征在于，以氧化锌为主成分，且含有选自铝和镓中的１种以上的添加金属元素，其含量在下述式（１）所示的范围内，并且表面粗糙度Ｒａ为３５．０ｎｍ以上，表面电阻为６５Ω／□以下，－［Ａｌ］＋０．３０≤［Ｇａ］≤－２．６８×［Ａ

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部能之，中山德行，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：JP