半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术目的在于，提供一种能够实现高发光效率化的半导体发光装置。半导体发光装置（１０）包括：封装（１１）、在封装（１１）的第一绝缘层上所载置的半导体发光元件（１２）、和以被覆半导体发光元件（１２）的方式在封装（１１）上所设置的包封构件（１３），封装（１１）至少含有：第一绝缘层、第二绝缘层、在所述第一绝缘层的表面所形成的导电配线（１４ａ、１４ｂ）、在第一绝缘层和第二绝缘层之间所配置的内层配线，其中，所述内层配线按照避开所述半导体发光元件（１２）的外周区域的正下方区域的方式配线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及搭载有半导体发光元件的半导体发光装置，更详细地说，是涉及使光弓I出效率提高的半导体发光装置。
技术介绍
近年来，随着发光二极管(LED)的高输出功率化，作为支承基板，优选利用的是以耐热性和耐光性优异的陶瓷为主原料的封装(例如参照W02006/046655号)。这样的封装的导电配线，通常由如下构成，表面的导电配线，其含有发光元件的载置部；封装背面的导电配线，其用于与封装贴装的基板上所实施的导电配线进行连接；内层配线，其埋设在陶瓷的内部，且将表面的导电配线和背面的导电配线进行连结。一般来说，这些配线的原材料为黑色或与之相近的颜色，因此来自发光元件的光被配线吸收。因此，对于从封装露出的配线，为了抑制光的吸收就利用金和银等金属实施电镀，但埋设在封装中的内层配线不能被实施电镀，仍为黑色的状态。另外，陶瓷一般为多孔质、且是具有透光性的材料，因此也存在如下情况从发光二极管出射的光的一部分透过陶瓷，被埋设在陶瓷中的内层配线吸收。其结果是，发光装置的光引出效率降低这样的课题存在。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述课题而做，其目的在于，提供一种能够实现高发光效率化的半导体发光装置。本专利技术的半导体发光装置，其具有封装，其通过将在上表面形成有一对正负的导电配线第一绝缘层、该第一绝缘层之下的内层配线、该内层配线之下的第二绝缘层进行层叠而被构成；半导体发光元件，其在同一面侧具有一对正负的电极，这些电极与所述导电配线对向配置；包封构件，其被覆所述半导体发光元件，并且，所述导电配线的一部分，在所述第一绝缘层的上表面，从所述半导体发光元件的正下方延长至所述包封构件的外缘而形成，且经由在所述封装的厚度方向所配置的导电配线而与所述内层配线连接，从所述第一绝缘层的上表面侧透视所述封装，所述内层配线距所述半导体发光元件的外周留有间隔地配置。在这样的半导体发光装置中，优选所述内层配线配置在所述包封构件的外缘的外侧。另外，优选在所述第一绝缘层的上表面形成有标记，该标记距所述半导体发光元件的外周留有间隔地配置。优选所述封装在半导体发光元件的正下方具有热传导性构件。优选所述热传导性构件具有的形状是，从所述半导体发光元件的正下方朝向所述封装的背面扩大的形状。优选所述热传导性构件由所述半导体发光元件的正下方的第一热传导层、其下的绝缘层、该绝缘层下的第二热传导层构成。优选所述绝缘层是由陶瓷构成的层。优选所述热传导性构件或热传导层采用CuW或CuMo为其材料。根据本专利技术，能够抑制从半导体发光元件出射的光被内层配线吸收，因此能够实现半导体发光装置的高发光效率化。附图说明图IA是表示本专利技术的一个方式的半导体发光装置的第一绝缘层的上表面的概略平面图。图IB是表示本专利技术的半导体发光装置的第一绝缘层的X-X方向的剖面的剖面图。图IC是表示本专利技术的半导体发光装置的另一第一绝缘层的x-x方向的剖面的剖面图。图2是表示本专利技术的一个方式的半导体发光装置的立体图。图3A是表示构成图2的半导体发光装置的封装的第一绝缘层的上表面的平面图。图;3B是表示图3A的y-y线方向的剖面图(其一半部表示一部分侧面图)。图3C是图3A的x-x线方向的剖面图。图4是表示构成图2的半导体发光装置的封装的第二绝缘层的上表面的平面图。图5是表示构成图2的半导体发光装置的封装的第三绝缘层的上表面的平面图。图6是表示构成图2的半导体发光装置的封装的第三绝缘层的背面的平面图。图7A是表示用于与本专利技术的半导体发光装置进行比较的半导体发光装置的第一绝缘层的上表面的平面图。图7B是表示用于与本专利技术的半导体发光装置进行比较的半导体发光装置的第二绝缘层的上表面的平面图。图8是表示本专利技术的另一方式的半导体发光装置的立体图。图9A是表示构成图8所示的半导体发光装置的封装的第一绝缘层的上表面的平面图。图9B是表示图9A的y-y线方向的剖面图(其左半部表示一部分侧面图)。图9C是图9A的x-x线方向的剖面图。图10是表示构成图8所示的半导体发光装置的封装的第二绝缘层的上表面的平面图。图11是表示构成图8所示的半导体发光装置的封装的第三绝缘层的上表面的平面图。图12是表示构成图8所示的半导体发光装置的封装的第四绝缘层的上表面的平面图。具体实施方式以下一边参照附图，一边说明用于实施本专利技术的最佳的方式。但是以下所示的方式，例示的是用于使本专利技术的技术思想具体化的半导体发光装置，本专利技术并非是将半导体专利技术装置进行以下限定的内容。另外，本说明书没有将权利要求的范围所示的构件特定为实施方式的构件。实施方式所述的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等，除非是特别特定的记述，否则均没有将本专利技术的要求的范围仅限于此的意思，只不过是例示。还有，各附图所示的构件的大小和位置关系等，为了使说明明确而有所夸张。此外在以下的说明中，同一名称、符号表示同一或同质的构件，适宜省略详细的说明。此外，构成本专利技术的半导体发光装置的各要素， 也可以是多个要素由同一构件构成、由一个构件兼用为多个要素的形态，反之也能够由多个构件分担一个构件的功能而加以实现。关于如下半导体发光装置，本专利技术者们为了抑制内层配线对光的吸收而进行了各种研究，该半导体发光装置具有封装，其中将在上表面形成有一对正负的导电配线的第一绝缘层、该第一绝缘层之下的内层配线、该内层配线之下的第二绝缘层进行层叠而被构成； 半导体发光元件，其在同一面侧具有一对正负的电极，这些电极与导电配线对向配置；包封构件，其被覆半导体发光元件。其结果是，以如下特征而解决了课题S卩，上述导电配线的一部分，在上述第一绝缘层的上表面，从上述半导体发光元件的正下方沿着上述包封构件的外缘方向延长而形成，且经由在上述封装的厚度方向上所配置的导电配线，与上述内层配线连接。此外，从上述第一绝缘层的上表面侧透视上述封装，上述内层配线距上述半导体发光元件的外周留有间隔而配置。以下，对于本专利技术的半导体发光装置的一个方式进行详述。本专利技术的半导体发光装置，主要具有封装、半导体发光元件、包封构件。封装只要是用于制造这种半导体发光装置一般所使用的形态即可，没有特别限定，但至少含有如下 第一绝缘层和第二绝缘层这两层绝缘层；形成于第一绝缘层的上表面的导电配线；配置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的内层配线。第一绝缘层和第二绝缘层如果是具有耐热性和适度的强度的绝缘体，则由哪种材料形成都可以，特别优选由陶瓷构成。作为陶瓷，例如可列举氧化铝、莫来石、镁橄榄石、玻璃陶瓷、氮化物系(例如 A1N)、碳化物系(例如SiC)等。其中，优选由氧化铝构成或以氧化铝为主要成分的陶瓷。第一绝缘层和第二绝缘层的厚度没有特别限定，但第一绝缘层例如为0.05mm 以上，0. Imm以上更适宜，优选为0. 175mm以上，更优选为0. 225mm以上，进一步优选为 0. 275mm以上，更进一步优选为0. 35mm以上。另外，以Imm以下为宜，更优选为0. 8mm以下。 即，意味着配置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的内层配线的深度、距第一绝缘层的上表面(封装的上表面)的深度会在上述的范围。因此，通过使第一绝缘层为这样的厚度，能够使形成于第一绝缘层的上表面的导电配线和形成于第一绝缘层之下的内层配线确实地绝缘。另外，加上第一绝缘层的厚度与后述的内层配线的配线图案，能够防止从半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体发光装置，其特征在于，具有：封装，其通过将在上表面形成有一对正负的导电配线的第一绝缘层、该第一绝缘层之下的内层配线、该内层配线之下的第二绝缘层进行层叠而被构成；半导体发光元件，其在同一面侧具有一对正负的电极，且这些电极与所述导电配线对向配置；包封构件，其被覆所述半导体发光元件，并且，所述导电配线的一部分，在所述第一绝缘层的上表面，从所述半导体发光元件的正下方在所述包封构件的外缘方向延长而形成，且经由在所述封装的厚度方向所配置的导电配线而与所述内层配线连接，从所述第一绝缘层的上表面侧透视所述封装时，所述内层配线距所述半导体发光元件的外周留有间隔地配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：乃一拓也，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP