本发明专利技术的目的在于获得一种能够避免绝缘破坏的可靠性高的高频器件及无线ＩＣ器件。高频器件包括：无线ＩＣ芯片（１０）和基板（２０），该基板（２０）与该无线ＩＣ芯片（１０）相耦合，并与辐射板（３１）、（３２）电连接，基板（２０）中配置有电感Ｌ和／或电容Ｃ作为静电应对元件。电感Ｌ并联连接在无线ＩＣ芯片（１０）与辐射板（３１）、（３２）之间，且在静电频率下的阻抗比无线ＩＣ芯片（１０）的阻抗要小。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高频器件及无线IC器件，特别涉及用于RFID(fcidi0 Frequency Identification 射频标识)系统的高频器件及无线IC器件。
技术介绍
近年来，作为物品的管理系统，正在开发一种使产生电磁波的读写器与贴在物品或容器等上的储存预定信息的无线IC(称作IC标签、无线IC芯片、高频器件等)以非接触方式进行通信、从而对信息进行传输的RFID系统。无线IC与天线(辐射板)相耦合，从而可与读写器进行通信。这类无线IC 一般是利用非专利文献1中记载的辊轧(roll-to-roll)制造的。然而，对于辊轧，非专利文献1中也有记载，由于使用PET薄膜，因而会产生静电，可能会导致无线IC被静电破坏。另外，即使对于天线，也可能会因在其两端部产生电位差而被静电破坏。现有技术文献非专利文献非专利文献1 永井定夫，MATERIAL STAGE技术信息协会 VOL. 7，NO. 9 200
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能够避免绝缘破坏的可靠性较高的高频器件及无线IC器件。为了达到以上目的，本专利技术的实施方式1的高频器件的特征在于，包括无线IC 以及基板，该基板与该无线IC相耦合并与辐射板电连接，在上述基板中配置有静电应对元件。本专利技术的实施方式2的无线IC器件的特征在于，包括无线IC、辐射板、以及基板，该基板与上述无线IC相耦合并与上述辐射板电连接，在上述基板中配置有静电应对元件。作为静电应对元件，能够适用并联连接在无线IC和辐射板之间的电感和/或串联连接在无线IC和辐射板之间的电容。对于电感，最好其在静电频率下的阻抗比无线IC的阻抗要小。根据本专利技术，由于基板中具备静电应对元件，因此能够防止无线IC和天线被制造工序中不可避免而生成的静电所破坏。附图说明图1是表示高频器件的实施方式1的等价电路图。图2是表示高频器件的实施方式2的等价电路图。图3是表示高频器件的实施方式3的等价电路图。图4是表示频率与电抗的关系的曲线图。图5是表示所述实施方式1的基板的第一例的说明图。图6是表示所述实施方式1的基板的第二例的说明图。图7是表示所述实施方式2的基板的一个例子的说明图。图8是表示所述实施方式3的基板的一个例子的说明图。图9是表示无线IC器件的实施方式1的立体图。图10是表示无线IC器件的实施方式2的立体图。图11是表示图10所示的无线IC器件的主要部分的立体图。附图标记10…无线IC芯片20(20A,20B,20C)基板31 35辐射板35a 端部35b环状电极35c偶极电极L 电感C 电容具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的高频器件及无线IC器件的实施方式。另外，在各图中，对于相同构件、部分标注共用的符号，省略重复的说明。(高频器件的实施方式，参照图1至图4)本专利技术所涉及的高频器件包括无线IC和基板，该基板与该无线IC相耦合并与辐射板电连接，上述基板中配置有静电应对元件。如众所周知的那样，无线IC包括时钟电路、 逻辑电路、及存储器电路等，存储有所需要的信息，设有输入端子电极和输出端子电极。以下，说明高频器件的实施方式1、实施方式2、及实施方式3。如图1所示，实施方式1包括无线IC芯片10和基板20A，基板20A中内置有作为静电应对元件的电感L。电感L并联连接在无线IC芯片10的输入输出端子电极11、12与辐射板31、32之间。将电感L在静电频率(通常为200MHz以下)下的阻抗设定得比无线IC芯片10 的阻抗要小。因此，通过辐射板31、32进入的静电通过电感L，而不会进入无线IC芯片10， 从而防止无线IC芯片10被静电破坏。此外，电感L的特性也能表现如下。即，对于静电频率下电感L的感抗OQ产生的阻抗(ZJ，会比无线IC芯片10的容抗Og产生的阻抗(Zc)要小。另外，对于UHF频带中电感L的感抗Og产生的阻抗(ZJ，会比无线IC芯片10的容抗OQ产生的阻抗(Zc)要大。阻抗包含实部(R:电阻)和虚部》:电抗)。而且，无线IC芯片10具有电容(C) 分量。对于虚部，感抗(XJ产生的阻抗(ZJ是根据4= L决定的，因此如图4所示，随着频率的增高而变大。另一方面，容抗(Xe)产生的阻抗( )是由1/ω C决定的，因此随着频率增高而减小。由此，在静电频带中，感抗(XJ产生的阻抗(ZJ比容抗(Xc)产生的阻抗(Zc)要小，在UHF频带中，感抗OQ产生的阻抗(Z)比容抗OQ产生的阻抗(Zc)要大。此外，对于实部，由于无线IC芯片10在静电频率下不起动，因此在静电频带中无线IC芯片10的电阻(Rc)为无限大。在UHF频带中，无线IC芯片10起动，具有10欧、20 欧等的电阻(Re)。对于电感L，在静电频率下具有数毫欧 数百毫欧的电阻( )，在UHF频带中具有数十毫欧 数欧的电阻αυ。其原因在于，集肤效应会导致电阻ου随着频率的升高而增大，但电阻(RJ不会因频带而发生较大的变化。此外，在UHF频带中，如上所述， 电感L的感抗(X)产生的阻抗(ZJ与无线IC芯片10的容抗OQ产生的阻抗(Zc)相比足够大。S卩，在静电频带中，无线IC芯片10的阻抗比电感L的阻抗要大，因而信号通过电感L，防止无线IC芯片10被静电破坏。另外，在UHF频带中，电感L的阻抗比无线IC芯片 10的阻抗要大，因而信号会通过无线IC芯片10。此外，电感L的实部必须有数十毫欧 数欧的理由是，若不是数十毫欧以上，则噪声不能被转换成热从而被消耗，若不是数欧以下， 则传导效率变低。在未配置有电感L的情况下，S卩，在未实施静电应对的情况下，无线IC芯片10的耐静电电压特性为300V。在将电感L的电感值设为120ηΗ的情况下，耐静电电压特性为 700V，在将电感L的电感值设为30ηΗ的情况下，可将耐静电电压特性提高至^00V。如图2(A)所示，实施方式2包括无线IC芯片10和基板20B，基板20B中内置有作为静电应对元件的两个电容C。电感C串联连接在无线IC芯片10的输入输出端子电极 11、12与辐射板31、32之间。另外，如图2(B)所示，电容C也可由多个电极形成。而且，如图2(C)所示，也可耦合电容Cl、C2。在这些高频器件中，通过辐射板31、32进入的静电会被电容C、Cl、C2遮挡，而不会进入无线IC芯片10，从而防止无线IC芯片10被静电破坏。如图3所示，实施方式3包括无线IC芯片10和基板20C，基板20C中内置有作为静电应对元件的电感L及电容C。电感L并联连接在无线IC芯片10的输入输出端子电极 11、12与辐射板31、32之间，电容C串联连接在无线IC芯片10的输入输出端子电极11、12 与辐射板31、32之间。电感L及电容C的功能与上述实施方式1及实施方式2相同。然而，作为高频器件的结构，如图1、图2、及图3所示那样，可包括无线IC芯片10 和基板2(K20A、20B、20C)，或也可将无线IC的电路和基板20的电路(电感L或电容C)内置于一块基板，以构成一体。或者，除了无线IC芯片10和基板20以外，还可以配置有包括与RFID系统的使用频率进行谐振的谐振电路的供电电路基板。或者，还可将无线IC与供电电路基板构成一体。或者，还可将无线IC、静电应对元件、及供电电路配置于一块基板，以构成一体。如上述实施例1 实施例3所示本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种高频器件，其特征在于，包括：无线ＩＣ；以及基板，该基板与所述无线ＩＣ相耦合，并与辐射板电连接，在所述基板中配置有静电应对元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤登，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP
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