【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子
技术介绍
1.专利
本申请通常涉及测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法，所述高纯硅是在所述材料存在下被加热，且本申请进一步涉及使杂质的量最小化的炉子，来自所述炉子的所述杂质污染高纯硅。2.相关技术描述在本领域中、特别是在其中希望制造高纯晶体硅的半导体工业中已知加工高纯组合物的方法。高纯晶体硅中杂质的量与半导体中高纯晶体硅的性能直接相关。因此，不断希望使高纯晶体硅中的杂质含量最小化，而且通常希望使任何高纯组合物中的杂质含量最小化。通常采用极端措施来使诸如高纯晶体硅的高纯组合物中杂质的量最小化，包括在处于与大气隔离状态的清洁室中加工高纯组合物。此外，工作在清洁室中的人员通常穿戴防护服以防止可由人员引入清洁室的衣服纤维或其它化学品污染清洁环境。在制造高纯晶体硅时，具体地说，通常使用化学气相沉积(CVD)工艺来从氯硅烷气体向硅细棒上生长多晶硅，由此形成多晶硅原棒(log)。在CVD工艺之后，对多晶硅原棒进行分区工艺，借此使多晶硅转化为单晶硅。如本领域中已知，多晶硅原棒中存在的杂质通过分区工艺除去。或者，多...
【技术保护点】
１．测定污染高纯硅的包括杂质在内的污染材料中杂质的量的方法，所述方法包括以下步骤：任选地，测定所述污染材料的杂质含量；任选地，测定所述高纯硅的杂质含量；提供所述污染材料；在所述污染材料中至少部分地包埋所述高纯硅的样品；在炉子内加热至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品；和测定在加热至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品的步骤之后所述高纯硅的杂质含量与在所述加热步骤之前所述高纯硅的杂质含量相比的变化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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