通过利用四氯硅烷减少壁上沉积的流化床反应器生产硅制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】通过利用四氯括烧减少壁上沉积的流化床反应器生产括[OOOU本申请是分案申请，其原案申请的申请号为200980144312. 7(国际申请号PCT/ US2009/060310)、申请日为2009年10月12日、专利技术名称为"通过利用四氯硅烷减少壁上沉 积的流化床反应器生产娃"。 相关申请的交叉引用 根据35U.S.C. 120,本申请要求2008年11月5日提交的美国专利申请号 12/265, 038的权益。将美国专利申请号12/265, 038并入本文W供参考。 关于联邦资助研究的声明 无
技术介绍
众所周知，通过被称为西口子工艺（Siemensprocess)的方法可W制造椿形娃。将 包括氨和硅烷（Si&)的混合物或包括氨和=氯硅烷化SiCls)的混合物供入含有温度保持 在高于1000°C的巧晶杆的分解反应器中。娃在该巧晶杆上沉积，并且副产物气体混合物W 排放流排出。当使用包括氨和=氯硅烷的混合物时，排放流包括氨、氯化氨、氯硅烷、硅烷和 娃粉末。为本申请的目的，术语"氯硅烷"是任意具有一个或多个与娃结合的氯原子的硅烷 类型，并且包括，但不...
【技术保护点】
一种方法，包括：1)将包括氢的沉积气体和硅单体供入流化床反应器的内部区域，其中所述硅单体选自SiH4和HSiCl3，并且将所述沉积气体引入所述流化床反应器的加热区，以及同时2)使基本上由SiCl4组成的蚀刻气体通过周边区域供入所述流化床反应器的加热区中，其中所述周边区域在所述内部区域和所述流化床反应器壁之间；以及其中，步骤1)中所述硅单体的量足以将硅沉积在位于所述流化床反应器的加热区之上的反应区中的流化硅颗粒上，并且步骤2)中SiCl4的量足以从所述流化床反应器壁上蚀刻硅，并且其中，在来自一个或多个所述西门子反应器的排放气体流离开所述西门子反应器之后并且在进入所述流化床反应...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·莫尔纳，
申请(专利权)人：赫姆洛克半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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