光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，使用于制作ＡｒＦ准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从ＤＲＡＭ半节距（ｈｐ）３２ｎｍ起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长２００ｎｍ以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为９％原子百分比以上４０％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为４５％原子百分比以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体器件等的制造中使用的光掩模坯体、光掩模及其制造方法寸。
技术介绍
半导体器件等的细微化具有使得性能、功能提高(快速动作和低功耗等)和成本降低的优点，细微化的推进在日益加速。支持该细微化的是光刻技术，转印用掩模与曝光装置、抗蚀剂材料一起成为关键技术。近年来，进入了在半导体器件的设计规格中被称为半节距(hp，half pitch) 32nm 时代的开发阶段。所述半节距相当于ArF准分子激光曝光光的波长193nm的1/6。在从hp32nm起的下一代中，仅仅应用现有的相移法、倾斜入射照明法和光瞳滤波法等解析度增强技术(Resolution Enhancement ^Technology :RET)、以及光学邻近校正(Optical Proximity Correction :0PC)技术还不够，还需要超高NA技术(液浸光刻)和双重曝光法 (双重构图)。当在透明基板上形成具有遮光膜的掩模图案的光掩模的情况下，在把形成有掩模图案的抗蚀剂膜作为掩模进行遮光膜(例如Cr系的单层膜或者多个叠层膜)的干蚀刻时， 抗蚀剂膜也被蚀刻而被消耗。因此，导致在遮光层上转印掩模图案时的解像性本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光掩模坯体，该光掩模坯体用于制作采用了波长２００ｎｍ以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为９％原子百分比以上４０％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为４５％原子百分比以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本雅广，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP