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本发明的目的在于，使用于制作ＡｒＦ准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从ＤＲＡＭ半节距（ｈｐ）３２ｎｍ起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长２００ｎｍ以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的...
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