等离子处理设备和电子器件制造方法技术

一种等离子处理设备具有：被保持在预定电势的腔室、用于将基板保持在腔室内的基板台架、用于通过施加交流电力在腔室内产生等离子的电极、导电部件和粘接防止屏蔽，所述导电部件被构成为使得在形成等离子时所述部件包围基板台架和电极之间的等离子空间，由此连接基板台架和腔室的侧壁，并且在不形成等离子时通过所述部件的至少一部分因通过驱动机构导致的移动而引起的分离，而形成用于将基板引入到基板台架的开口，所述粘接防止屏蔽覆盖导电部件的等离子空间侧的表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括容纳沉积屏蔽的腔室的等离子处理设备，和电子器件制造方法。
技术介绍
常规上，诸如溅射设备的等离子处理设备包括容纳沉积屏蔽的真空腔室，所述沉 积屏蔽包围等离子产生空间以防止溅射粒子和其它粒子粘附于真空腔室的内壁上并遮蔽 等离子产生空间以免受这些粒子影响。专利文献1公开了包括导电性沉积屏蔽的溅射设备 的例子。如专利文献1所示，沉积屏蔽被分割并形成为可打开/可关闭以在基板加载时将 基板加载到基板台架上。如果在基板加载之后沉积屏蔽在分割部分中被完全关闭，那么粘 附到沉积屏蔽的表面上的膜由于例如打开/关闭时的振动而剥离，由此产生粒子。为了防 止这一点，分割部分保持在非接触状态中，使得在它们之间存在足够窄以不泄漏等离子的 间隙(Imm或更小)。引文列表专利文献专利文献1 日本专利公开No. 2002-356771
技术实现思路
技术问题但是，当在处理室中反复使用沉积屏蔽时，粘附的膜在其屏蔽表面上沉积。出于这 种原因，随着沉积量增加，导电沉积屏蔽被更换。然而，由于还在放电电极和导电沉积屏蔽 之间执行放电，因此，当沉积屏蔽的尺寸和形状在更换前后改变时，放电特性改变。在高频 放电时该问题是特别严重的。在这种情况下，即使对于间隙也传导电流，因此，由于沉积屏 蔽的尺寸的变化导致的上述间隙的变化的不利影响是不能忽略的；等离子产生状态或基板 台架电势状态在更换前后改变或者对于各位置不同。作为结果，使用例如溅射的沉积导致 诸如膜厚和成分之类的沉积结果的变化。问题的解决方案考虑上述的问题提出本专利技术，并且，本专利技术的目的是，提供一种即使当更换沉积屏 蔽时也可获得稳定的沉积结果的等离子处理设备。为了实现上述的目的，根据本专利技术，提供一种等离子处理设备，该等离子处理设备 包括腔室；被配置为将基板保持在所述腔室内的基板台架；被配置为在所述腔室里面产生等离子的电极；和被形成为包围所述电极和所述基板台架之间的等离子空间的屏蔽部件，其中，所述屏蔽部件包含主体部分；和通过分割所述主体部分形成的分离部分，其中，所述主体部分和所述分离部分分别包含内部部分和关于等离子空间处于所 述内部部分外面的外部部分，所述主体部分的所述外部部分和所述分离部分的所述外部部分是导电部件并且 被形成为能够使所述腔室和所述基板台架通过相互的接触而连接，并且，所述主体部分的所述内部部分和所述分离部分的所述内部部分被形成为不相互 接触。本专利技术的有利效果根据本专利技术，能够提供即使当更换沉积屏蔽时也可获得稳定的沉积结果的等离子 处理设备。附图说明被包含于说明书中并构成其一部分的附图示出本专利技术的实施例，并与说明一起用 于解释本专利技术的原理。图1是表示根据本专利技术的一个实施例的溅射设备的示意性配置的示图；图2是图1所示的沉积屏蔽和外部部件的放大示图；图3是表示中间沉积屏蔽和中间外部部件从图1和图2所示的状态(关状态)沿 垂直方向移动到下部位置的状态(开状态)的示图；图4是表示图1所示的溅射设备的另一实施例的示图。具体实施例方式以下将参照附图描述本专利技术的实施例。在本实施例中，作为等离子处理设备的一个例子，将解释电容耦合型溅射设备。图 1是表示根据本专利技术的一个实施例的溅射设备的示意性配置的示图。图1所示的溅射设备包含真空腔室103，在真空腔室103中，形成与用于例如放电 气体和处理气体的气体引入系统连接的供给孔101和与包含低真空泵(roughing pump)和 主泵的排出系统连接的排出孔102。真空腔室103包含传输端口 114，该传输端口 114用作 用于将待处理的基板加载到真空腔室103中并从真空腔室103卸载被处理的基板的开口。 本实施例例示群集型等离子处理设备，该群集型等离子处理设备与包含基板传输机器人的 基板传输腔室连接并与基板传输腔室中的机器人交换基板。注意，以大致圆筒形状形成真 空腔室103。真空腔室103容纳可安装经受沉积处理的基板的台架104和面对基板的靶电极 105。靶电极105与产生DC电压的DC电源113和产生高频电力(AC电力)的AC电源112 连接。从这些电源供给到真空腔室103中的DC电力和AC电力从引入真空腔室103中的放 电气体产生等离子。真空腔室103还容纳包围在靶电极105和台架104之间形成的等离子 空间的屏蔽部件。屏蔽部件包含沉积屏蔽200(与内部部分对应)和包围沉积屏蔽200的 外部的外部部件300 (与外部部分对应)。本实施例中的沉积屏蔽200总体上具有大致圆筒断面，并且沿高度方向被分成三个部分。沉积屏蔽200包含上部沉积屏蔽部分201、中间沉积屏蔽部分202和下部沉积屏 蔽部分203。上部沉积屏蔽部分201、中间沉积屏蔽部分202和下部沉积屏蔽部分203 (以 下，也被简称为“沉积屏蔽部分201 203”)被配置为一体化地包围真空腔室103内的等 离子空间。沉积屏蔽部分201 203由诸如不锈钢或铝的导电部件制成。为了防止一次粘 附于屏蔽表面上的溅射薄膜的剥离，暴露于真空腔室103内的等离子空间侧的沉积屏蔽部 分201 203的屏蔽表面具有通过Al喷涂或爆炸在它们上面形成的细微的三维图案。图2是图1所示的沉积屏蔽部分201 203和外部部件300的放大示图。沉积屏蔽部分201 203的屏蔽表面上的形成细微三维图案的范围由图2中的粗 线表示。沉积屏蔽部分201 203以其间的间隙Sl和S2相互分开以不相互接触，以防止 它们在打开/关闭操作(后面描述)时相互碰撞。间隙Sl和S2优选为约1. 5 3mm。在 这种情况下，能够减少跨过间隙Sl和S2的电流传导的不利影响并且有效地防止溅射的粒 子粘附于外部部件300上。在本实施例中，间隙Sl和S2以迷宫状形成以防止溅射的粒子很容易地通过间隙 Sl和S2移动到沉积屏蔽200外面。这使得能够增加从间隙Sl和S2中的每一个的一端到 间隙Sl和S2中的每一个的另一端的路径的长度，并且进而降低粒子通过间隙Sl和S2到 达沉积屏蔽200外面的可能性。外部部件300具有包围沉积屏蔽200的外部的形状，并包含上部外部部件301、中 间外部部件302和下部外部部件303。上部外部部件301、中间外部部件302和下部外部部 件303(以下，也简称为“部件301 303”)由诸如铝或不锈钢的导电材料制成。中间外部 部件302和中间沉积屏蔽部分202与本专利技术中的第三部件对应，上部外部部件301和上部 沉积屏蔽部分201与本专利技术中的第二部件对应，并且，下部外部部件303和下部沉积屏蔽部 分203与本专利技术中的第一部件对应。如图2所示，在上述的部件中，下部外部部件303包含支撑部分303a和由支撑部 分303a支撑的环形连接部分303b。下部沉积屏蔽部分203通过螺栓Btl可拆卸地附接到 连接部分303b，并且，连接部分303b和下部沉积屏蔽部分203通过表面接触相互电连接。 下部沉积屏蔽部分203也通过螺栓Bt2可拆卸地附接到台架104，并且，下部沉积屏蔽部分 203和台架104通过表面接触相互电连接。由此，电流在放电期间经由下部沉积屏蔽部分 203从台架104流向下部外部部件303。注意，支撑部分303a和台架104接地(参见图1)。中间外部部件302包含沿垂直方向延伸的大致圆筒状的垂直连接部分302a和本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子处理设备，包括：腔室；被配置为将基板保持在所述腔室内的基板台架；被配置为在所述腔室里面产生等离子的电极；和被形成为包围所述电极和所述基板台架之间的等离子空间的屏蔽部件，其中，所述屏蔽部件包含：主体部分；和通过分割所述主体部分形成的分离部分，其中，所述主体部分和所述分离部分分别包含内部部分和关于等离子空间处于所述内部部分外面的外部部分，所述主体部分的所述外部部分和所述分离部分的所述外部部分是导电部件并且被形成为能够使所述腔室和所述基板台架通过相互的接触而连接，并且，所述主体部分的所述内部部分和所述分离部分的所述内部部分被形成为不相互接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中洋，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP